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SSP4N60 データシート PDF

この部品の機能は「(ssp4n55 / Ssp4n60) N-channel Power Mosfet」です。


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部品番号
SSP4N60

(SSP4N55 / SSP4N60) N-Channel Power MOSFET


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Samsung Electronics
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文字列「 SSP4N60 」「 4N60 」で始まる検索結果です。

部品説明

SSP4N60AS

Advanced Power MOFET

Advanced Power MOSFET FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 µ A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) : 2.037 Ω (Typ.) SSP4N60AS BVDSS = 600 V RDS(on)

Fairchild Semiconductor
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SSP4N60AS

Advanced Power MOFET

Samsung Electronics
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SSP4N60B

600V N-Channel MOSFET

SSP4N60B/SSS4N60B SSP4N60B/SSS4N60B 600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

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04N60C3

SPB04N60C3

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Infineon
Infineon

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1410460

Bobbin Type Inductors

C&D Technologies
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1410460

Bobbin Type Inductors

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