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MDS3604 データシート PDF

この部品の機能は「Single P-channel Trench Mosfet」です。


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部品番号
MDS3604

Single P-Channel Trench MOSFET


MDS3604– Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -11A, 12.1mΩ MDS3604 Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -11A, 12.1mΩ General Description The MDS3604 uses advanced MagnaChip’s MOSFET Technol


MagnaChip
MagnaChip

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文字列「 MDS3604 」「 3604 」で始まる検索結果です。

部品説明

1N3604

(1N3xxx) Silicon Diodes

Silicon Diodes DO-35 Case Switching Diodes TYPE NO. VRRM (V) MAX 100 100 75 75 75 75 50 40 75 100 50 75 40 75 35 70 100 100 100 100 75 50 80 IO (mA) MAX 150 150 75 75 75 75 200 150 150 150 200 150 150 150 150 200 150 150 150 150 150 200 200 VF (V) MAX 1.0 1.0 1.0 0.85 1.0 1.0 1.0

Central
Central

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23HS3604-02

Hybrid Stepper Motors

HYBRID STEPPING MOTORS 0.9˚ 2-PHASE 1.8˚ 3.6˚ 23HS SERIES 1.8° Key Features I High Torque I High Accuracy I Smooth Movement General Specifications Bi-polar Model Number 23HS0402-02 23HS0403-02 23HS0404-01 23HS0406 23HS0411 23HS0412 23HS0413 23HS1407 23HS1408 23HS2403 23

ETC
ETC

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2SC3604

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC3604 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION The 2SC3604 is an NPN epitaxial transistor designed for lownoise amplification at 1.0 to 6.0 GHz. This transistor has low-noise and high-gain characteristics in a wide

NEC
NEC

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2SC3604

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Free Datasheet http:/// Free Datasheet http:///

New Jersey Semi-Conductor
New Jersey Semi-Conductor

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2SC3604

Trans GP BJT NPN 10V 0.065A 4-Pin Micro-X

New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

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2SK3604-01L

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

2SK3604-01L,S,SJ FUJI POWER MOSFET 200304 Super FAP-G Series Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) Applications Switching regulators UPS

Fuji Electric
Fuji Electric

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