Datasheet 2SD2562 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
2	2SD2562	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor Equivalent circuit C Darlington 2SD2562 sElectrical Characteristics Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) VBE(sat) fT COB Conditions VCB=150V VEB=5V IC=30mA VCE=4V, IC=10A IC=10A, IB=10mA IC=10A, IB=10mA VCE=12V, IE=–2A VCB=10V, f=1MHz 2SD2562 100max 100max 150min 5000min∗ 2.5max 3.0max 70ty	ETC
1	2SD2562	Silicon NPN Darlington Power Transistor INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2562 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 150V(Min) ·High DC Current Gain: hFE= 5000( Min.) @(IC= 10A, VCE= 4V) ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= 2.5V(Max)@ (IC= 1	Inchange Semiconductor

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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