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1SS193のメーカーはWEJです、この部品の機能は「DIODE」です。 |
部品番号 | 1SS193 |
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部品説明 | DIODE | ||
メーカ | WEJ | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューと1SS193ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 2 pages
RoHS
1SS193 SWITCHING DIODE
SOT-23 Plastic-Encapsulate DIODE
DFeatures
TPower dissipation
PD : 150 mW (Tamb=25oC)
.,LForward Current
IF : 100 mA
Reverse Voltage
VR : 80V
OOperating and storage junction temperature range
Tj, Tstg : -55 oC to +150 oC
1
1.
2.4
1.3
SOT-23
3
2
ONIC CMarking:F3
Unit:mm
TRELECTRICAL CHARACTERISTICS
o
C(Ta=25 C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
EReverse breakdown voltage
V(BR)
LReverse Voltage leakage current
IR
EForward Voltage
JDiode Capacitance
WEReverse Recovery Time
VF
Ctot
trr
Test Condition
IR=100 A
VR=80V
IF=100mA
VR=0V f=1MHz
IF=IR=10mA
Irr=0.1IR
MIN. MAX. Unit
80 V
0.5 A
1.2 V
3 pF
4 nS
1 Page | |||
ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 1SS193 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
1SS190 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | Toshiba Semiconductor |
1SS190 | Switching Diodes | LGE |
1SS190 | SWITCHING DIODE | RECTRON |
1SS190 | SWITCHING DIODE | JCET |