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Datasheet JCS15N65FH Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Category |
| 1 | JCS15N65FH | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET
JCS15N65H
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID 15.0 A VDSS 650 V Rdson（Vgs=10V） 0.6 Ω Qg 36 nC
封装 Package
用途
高频开关电源 电子镇流器 LED 电源
APPLICATIONS High efficiency switch
mode power supplies � |  JILIN SINO-MICROELECTRONICS | mosfet |
JCS Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | JCS10N60CT | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET
JCS10N60T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 9.5 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 0.75Ω Qg 34 nC
用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS z High efficiency switch
mode power supplies z Elect | JILIN SINO-MICROELECTRONICS |  |
| 2 | JCS10N60FT | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET
JCS10N60T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 9.5 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 0.75Ω Qg 34 nC
用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS z High efficiency switch
mode power supplies z Elect | JILIN SINO-MICROELECTRONICS | |
| 3 | JCS10N60T | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET
JCS10N60T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 9.5 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 0.75Ω Qg 34 nC
用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS z High efficiency switch
mode power supplies z Elect | JILIN SINO-MICROELECTRONICS | |
| 4 | JCS10N65BT | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET
JCS10N65T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 9.5 A VDSS 650 V Rdson（@Vgs=10V） 0.95Ω Qg 34 nC
用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS z High frequency switching
mode power supply z Elect | JILIN SINO-MICROELECTRONICS | |
| 5 | JCS10N65CT | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET
JCS10N65T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 9.5 A VDSS 650 V Rdson（@Vgs=10V） 0.95Ω Qg 34 nC
用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS z High frequency switching
mode power supply z Elect | JILIN SINO-MICROELECTRONICS | |
| 6 | JCS10N65FT | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET
JCS10N65T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 9.5 A VDSS 650 V Rdson（@Vgs=10V） 0.95Ω Qg 34 nC
用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS z High frequency switching
mode power supply z Elect | JILIN SINO-MICROELECTRONICS | |
| 7 | JCS10N65ST | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET
JCS10N65T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 9.5 A VDSS 650 V Rdson（@Vgs=10V） 0.95Ω Qg 34 nC
用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS z High frequency switching
mode power supply z Elect | JILIN SINO-MICROELECTRONICS | |
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| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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