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PDF GFP8N60 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | GFP8N60 | |
| Descripción | N-channel power FET | |
| Fabricantes | Haiso | |
| Logotipo |  |
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东莞市华索电子有限公司
http://www.chinahaiso.com
场效应晶体管
GFP 8N60
GFP 8N60
概述
GFP 8N60 是增强型 N 沟道功率场效应管，采用平面条形
DMOS 工艺生产制造。
GFP8N60 具有低导通电阻、优越的开关特性以及抗雪崩击
穿能力，适合用于高效开关电源, 电子镇流器等。
极限参数，除非另有规定，T=25℃
参数
漏源反向击穿电压
连续漏极电流
栅极电压
雪崩能量
耗散功率
储存温度
热阻（结到壳）
正向压降
符号
BVDSS
ID
VGS
EAS
PD
TSTG
RθJC
VSD
额定值
600
7.5
±30
230
147
-55 --150
0.85
1.4
单位
V
A
V
mJ
W
℃
℃/W
V
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| GFP8N60 | N-Channel enhancement mode power field effect Transistors |  ETC |
| GFP8N60 | N-channel power FET | Haiso |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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