DataSheet.jp


Datasheet ILA8357 PDF ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 ILA8357
部品説明 Vertical deflection amplifier
メーカ Integral
ロゴ Integral ロゴ 
プレビュー
Total 12 pages
		
11

No Preview Available !

ILA8357 Datasheet, ILA8357 PDF,ピン配置, 機能
ILA8357
УСИЛИТЕЛЬ КАДРОВОЙ РАЗВЕРТКИ
( Функциональный аналог TDA8357J ф.Philips )
Микросхема ILA8357 - интегральная мощная схема, предназначенная для ис-
пользования в 90° и 110° отклоняющих системах цветных телевизоров. Она включает в
себя кадровый отклоняющий мостовой выход, работающий, как высокоэффективный
усилитель G класса. Микросхема ILA8357 может управляться частотой полей от 25 до
200 Гц. Вертикальные отклоняющие катушки 4 : 3 и 16: 9 кинескопов могут быть под-
ключены к микросхеме ILA8357. Благодаря мостовой конфигурации DC отклоняющего
выхода, применение микросхем может быть разработано с положительным напряжени-
ем питания 12 В и положительным обратным ходом питания 45 В (в зависимости от
конфигурации отклоняющей катушки).
Микросхема ILA8357 изготавливается по BCDMOS технологии. В микросхеме
используются биполярные и CMOS структуры, а также выходные DMOS – транзисторы.
ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:
- малое количество внешних навесных элементов;
- высокоэффективный, полный DC сдвоенный вертикальный мостовой выход
схемы;
- короткое время нарастания и спада обратного хода;
- защита кинескопа от прожога (система охраны);
- температурная защита схемы;
- дифференциальный режим входов;
- улучшенные характеристики ЭМС благодаря дифференциальным входам.
Микросхема выполнена в 9 - выводном пластмассовом DIL-SIL мощном корпусе
1509.9-А.
Допустимое значение потенциала статического электричества 2000 В.
ILA8357-Tr, M, Normal.dot, 225792, 2009-07-06, 10:50:43, V 1.1
1

1 Page



ILA8357 pdf, ピン配列
GUARD
08
Схема за-
щиты
VI(bias)
VI(p-p)
0
INA
01
VI(bias)
VI(p-p)
0
INB
Входной
каскад и уси-
литель обрат-
ной связи
02
VP
03
ILA8357
VFB
06
VT1
VD1
VT2
VT5
VD2
VD3
07
OUTA
09
FEEDB
VT3
04
OUTB
VT4
05
GND
VD1 – VD3 – диоды;
VT1 – VT5 - транзисторы
Рисунок 2 – Схема электрическая структурная
ILA8357-Tr, M, Normal.dot, 225792, 2009-07-06, 10:50:43, V 1.1
3


3Pages


ILA8357 電子部品, 半導体
ILA8357
Таблица 4 - Электрические параметры микросхем
Буквен-
ное
обозна-
чение
IP(q)(av)
Наименование параметра
Ток потребления во
время сканирования
IP(q) Ток потребления,
(без сигнала и нагрузки)
IFB(q)(av) Ток питания обратного
хода (во время скани-
рования)
II(bias) Входной ток смещения
LEc Коэффициент нелиней-
ности соседнего блока
LE Коэффициент нелиней-
ности
Vloss(FB) Напряжение между вы-
водами 06 и 07
Режим измерения
VP = 12 В. VFB = 45 В;
RL = ; VI(bias) = 0,88 В;
TA = 25 °C
VP = 7,5; 12; 18 В;
TA = -25; 85 °C
VP = 12 В. VFB = 45 В;
RL = ;VI(bias) = 0,88 В;
TA = 25 °C
VP = 7,5; 12; 18 В
TA = -25; 85 °C
VP = 12 В, VFB от 45
до 66 В; VI(bias) = 0,88 В;
TA = 25 °C
VP = 7,5; 12; 18 В
TA = -25; 85 °C
VP = 12 В. VFB = 45 В;
TA = 25 °C
VP = 7,5; 12; 18 В;
TA = -25; 85 °C
VP = 12 В. VFB = 45 В;
IO(p-p) = 2 А;TA = 25 °C
VP = 12; 18 В;
TA = -25; 85 °C
VP = 7,5 В; VFB =15 В;
TA = -25; 85 °C
VP = 12 В. VFB = 45 В;
IO(p-p) = 2 А; TA = 25 °C
VP = 12; 18 В;
TA = -25; 85 °C
VP = 7,5 В; VFB = 15 В;
TA = -25; 85 °C
VP = 12 В. VFB = 45 В;
VI(bias)1 = 1,6 В;
VI(bias)2 = 0,1 В; IO = -0,7 А
TA = 25 °C
TA = -25; 85 °C
IO = -1,0 А
TA = 25 °C
TA = -25; 85 °C
Норма
Единица
измере-
не менее не более ния
- 15 мА
- 25
- 65 мА
- 100
- 10 мА
- 20
- -35 мкА
- -40
- 2,0
-
10,0
%
- 3,0
15,0 %
В
- 8,5
9,0
- 9,0
9,5
ILA8357-Tr, M, Normal.dot, 225792, 2009-07-06, 10:50:43, V 1.1
6

6 Page





ページ 合計 : 12 ページ
PDF
ダウンロード
[ ILA8357.PDF ]

共有リンク

Link :


おすすめデータシート

部品番号部品説明メーカ
ILA8351

There is a function of Vertical Deflection and Guard Amplifier.

IK Semiconductor
IK Semiconductor
ILA8356

There is a function of Vertical Deflection and Guard Amplifier.

IK Semiconductor
IK Semiconductor
ILA8357

There is a function of Vertical deflection amplifier.

Integral
Integral
ILA8359

There is a function of VERTICAL DEFLECTION AMPLIFIER CIRCUIT.

Integral
Integral


多くを見つけるデータシート

部品番号部品説明メーカ
82S129

The 82S126 and 82S129 are field programmable, which means that custom patterns are immediately available by following the Signetics Generic fusing procedure. 1K-bit TTL Bipolar PROM, Address access time : 50ns max.

NXP
NXP
D1695

This part is a darlington connection NPN silicon epitaxial transistor. The 2SD1695 is a Darlington connection transistor and incorporates a dumper diode between the collector and emitter and a constant voltage diode and protection elements between the collector and base. This transistor is ideal for drives in solenoid and actuators.

NEC
NEC
FDMS86368

N-Channel Power Trench, 80V, 80A, 4.5mΩ.

Fairchild
Fairchild
2SC2456

Here is a Color TV Horizontal Driver, Vceo=300V, TO-126 Package.

Toshiba
Toshiba

www.DataSheet.jp    |   2018   |  メール    |   最新    |   Sitemap