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3DD3145A6 データシート PDF ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 3DD3145A6
部品説明 Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 

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3DD3145A6 Datasheet, 3DD3145A6 PDF,ピン配置, 機能
华润华晶分立器件
NPN 低频放大双极型晶体管
R
3DD3145A6
1 产品概述:
3DD3145A6 是硅 NPN 型高反压大功率晶体管,该产品采用平面工艺,特征参数
分压环终端结构和少子寿命控制技术,提高了产品的击穿电压、开关
VCEO
速度和可靠性。
产品封装形式:TO-126,符合 RoHS 指令要求。
IC
PtotTC=25℃)
600
1.3
50
V
A
W
2 产品特点:
● 开关损耗低。
● 反向漏电流小。
● 击穿电压高。
● 合适的开关速度。
● 可靠性高。
3 主要用途:
主要用于开关电源作电压调整。
1
2
3
1.B 2.C 3.E
内部等效原理图
B
C
E
产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
有害物质或元素
部件名称
镉 六 价 铬 多溴联苯 多溴苯醚
Pb) (Hg) (Cd) (Cr(VI)(PBB) PBDE
(含量要求) 0.1% 0.1%
0.01% 0.1%
0.1%
0.1%
引线框
塑封树脂
管芯
内引线
焊料
×
○:表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
说明
×:表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中含有铅(Pb)成分,但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。
无锡华润华晶微电子有限公司
1 页 共 5 2009

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