|
|
Datasheet HBR10100 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Category |
| 1 | HBR10100 | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10100
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
100 V 175 ℃ 0.7V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
z High frequency switch power suppl |  Jilin Sino | diode |
| 2 | HBR10100BF | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10100
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
100 V 175 ℃ 0.7V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
z High frequency switch power suppl | Jilin Sino | diode |
| 3 | HBR10100BFR | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10100
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
100 V 175 ℃ 0.7V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
z High frequency switch power suppl | Jilin Sino | diode |
| 4 | HBR10100CT | Schottky Barrier Rectifier, Diode Schottky Barrier Rectifier
FEATURES ·Common Cathode Structure ·Low Power Loss/High Efficiency ·High Operating Junction Temperature ·Guarding for Overvoltage protection，High reliability ·100% avalanche tested ·RoHS product ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reli |  Inchange Semiconductor | rectifier |
| 5 | HBR10100F | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10100
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
100 V 175 ℃ 0.7V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
z High frequency switch power suppl | Jilin Sino | diode |
| 6 | HBR10100FR | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10100
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
100 V 175 ℃ 0.7V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
z High frequency switch power suppl | Jilin Sino | diode |
| 7 | HBR10100HF | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10100
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
100 V 175 ℃ 0.7V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
z High frequency switch power suppl | Jilin Sino | diode |
| 8 | HBR10100HFR | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10100
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
100 V 175 ℃ 0.7V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
z High frequency switch power suppl | Jilin Sino | diode |
| 9 | HBR10100S | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10100S
主要参数
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
MAIN
CHARACTERISTICS
10（2×5）A
100 V 175 ℃ 0.7V （@Tj=125℃）
用途
l 高频开关电源 l 低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
l High frequency switch power supply
l Free wheeli |  JILIN SINO | diode |
HBR Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
| 1 | HBR10100 | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10100
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
100 V 175 ℃ 0.7V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
z High frequency switch power suppl Jilin Sino diode | | |
| 2 | HBR10100BF | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10100
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
100 V 175 ℃ 0.7V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
z High frequency switch power suppl Jilin Sino diode | | |
| 3 | HBR10100BFR | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10100
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
100 V 175 ℃ 0.7V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
z High frequency switch power suppl Jilin Sino diode | | |
| 4 | HBR10100CT | Schottky Barrier Rectifier, Diode Schottky Barrier Rectifier
FEATURES ·Common Cathode Structure ·Low Power Loss/High Efficiency ·High Operating Junction Temperature ·Guarding for Overvoltage protection，High reliability ·100% avalanche tested ·RoHS product ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reli Inchange Semiconductor rectifier | | |
| 5 | HBR10100F | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10100
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
100 V 175 ℃ 0.7V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
z High frequency switch power suppl Jilin Sino diode | | |
| 6 | HBR10100FR | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10100
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
100 V 175 ℃ 0.7V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
z High frequency switch power suppl Jilin Sino diode | | |
| 7 | HBR10100HF | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10100
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
100 V 175 ℃ 0.7V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
z High frequency switch power suppl Jilin Sino diode | | |
| 8 | HBR10100HFR | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10100
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
100 V 175 ℃ 0.7V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
z High frequency switch power suppl Jilin Sino diode | | |
| 9 | HBR10100S | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10100S
主要参数
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
MAIN
CHARACTERISTICS
10（2×5）A
100 V 175 ℃ 0.7V （@Tj=125℃）
用途
l 高频开关电源 l 低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
l High frequency switch power supply
l Free wheeli JILIN SINO diode | |
| Esta página es del resultado de búsqueda del HBR10100. Si pulsa el resultado de búsqueda de HBR10100 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
 Sanken |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap |