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2SC4003のメーカーはLGEです、この部品の機能は「NPN Transistor」です。 |
部品番号 | 2SC4003 |
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部品説明 | NPN Transistor | ||
メーカ | LGE | ||
ロゴ | |||
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2SC4003(NPN)
TO-251/TO-252-2L Transistor
TO-251
1. BASE
2. COLLECTOR
1 23
3. EMITTER
Features
High hFE
hFE=60 to 200
low VCE(sat) VCE(sat)=0.6V
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
TO-252-2L
Symbol
Parameter
Value
Units
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
TJ
Tstg
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
400
400
5
0.2
1
150
-55-150
V
V
V
A
W
℃
℃
Dimensions in inches and (millimeters)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Symbol Test conditions
MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO IC=10µA,IE=0
400 V
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR)CEO IC=1mA,IB=0
400 V
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)EBO IE=10µA,IC=0
5V
Collector cut-off current
ICBO
VCB=300V,IE=0
0.1 µA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB=4V,IC=0
0.1 µA
DC current gain
hFE VCE=10V,IC=50mA
60 200
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC=50mA,IB=5mA
0.6 V
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat) IC=50mA,IB=5mA
1V
Transition frequency
CLASSIFICATION OF hFE
Rank
Range
fT VCE=30V,IC=10mA
D
60-120
70
E
100-200
MHz
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ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 2SC4003 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SC400 | (2SCxxx) Low Level and General Purpose Amplifiers | Micro Electronics |
2SC4001 | NPN SILICON POWER TRANSISTOR | NEC |
2SC4001 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
2SC4002 | High-Voltage Driver Applications | Sanyo Semicon Device |