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GFP4N60のメーカーはChinahaiso electronicです、この部品の機能は「N-channel enhancement mode power field effect Transistors」です。 |
部品番号 | GFP4N60 |
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部品説明 | N-channel enhancement mode power field effect Transistors | ||
メーカ | Chinahaiso electronic | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとGFP4N60ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 2 pages
Chinahaiso electronic Co.Ltd
http://www.chinahaiso.com
MOSFET
GFP 4N60
GFP 4N60
General description
These N-channel enhancement mode power field effect
Transistors are produced using planar stripe DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche
and commutation mode. These devices are well suited for high
efficiency switch mode power supply.
Absolute maximum ratings T=25℃ unless otherwise noted
Characteristics
Symbol
Drain-SourceVoltage
Drain Current
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
Thermal Resistance ,Junction-to Case
Drain-source Diode Forward Voltage
BVDSS
ID
VGS
EAS
PD
TSTG
RθJC
VSD
Value
600
4.4
±30
260
106
-55 --150
1.18
1.4
Units
V
A
V
mJ
W
℃
℃/W
V
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ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ GFP4N60 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
GFP4N60 | N-channel enhancement mode power field effect Transistors | Chinahaiso electronic |