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GFP4N60 の電気的特性と機能

GFP4N60のメーカーはChinahaiso electronicです、この部品の機能は「N-channel enhancement mode power field effect Transistors」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 GFP4N60
部品説明 N-channel enhancement mode power field effect Transistors
メーカ Chinahaiso electronic
ロゴ Chinahaiso electronic ロゴ 




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GFP4N60 Datasheet, GFP4N60 PDF,ピン配置, 機能
Chinahaiso electronic Co.Ltd
http://www.chinahaiso.com
MOSFET
GFP 4N60
GFP 4N60
General description
These N-channel enhancement mode power field effect
Transistors are produced using planar stripe DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche
and commutation mode. These devices are well suited for high
efficiency switch mode power supply.
Absolute maximum ratings T=25unless otherwise noted
Characteristics
Symbol
Drain-SourceVoltage
Drain Current
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
Thermal Resistance ,Junction-to Case
Drain-source Diode Forward Voltage
BVDSS
ID
VGS
EAS
PD
TSTG
RθJC
VSD
Value
600
4.4
±30
260
106
-55 --150
1.18
1.4
Units
V
A
V
mJ
W
℃/W
V
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[ GFP4N60 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
GFP4N60

N-channel enhancement mode power field effect Transistors

Chinahaiso electronic
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