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GBS4GのメーカーはDiotec Semiconductorです、この部品の機能は「Silicon-Bridge Rectifiers」です。 |
部品番号 | GBS4G |
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部品説明 | Silicon-Bridge Rectifiers | ||
メーカ | Diotec Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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Silicon-Bridge Rectifiers
GBS 4A ... GBS 4M
Silizium-Brückengleichrichter
3.5
==
0.25
19
Type
+
Typ
~~
_
1.2
0.8
555
Dimensions / Maße in mm
Nominal current – Nennstrom
4A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50…1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
19 x 3.5 x 10 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
1.3 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging: bulk
see page 22
Standard Lieferform: lose im Karton siehe Seite 22
Maximum ratings
Type
Typ
GBS 4A
GBS 4B
GBS 4D
GBS 4G
GBS 4J
GBS 4K
GBS 4M
max. alternating input voltage
max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
35
70
140
280
420
560
700
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
50
100
200
400
600
800
1000
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25/C
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25/C
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25/C
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
IFSM 80 A
IFSM 90 A
i2t 32 A2s
Tj – 50...+150/C
TS – 50...+150/C
1) Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig
04.02.2003
1
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PDF ダウンロード | [ GBS4G データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
GBS4A | Silicon Bridge Rectifiers | Galaxy Microelectronics |
GBS4A | Silicon-Bridge Rectifiers | Diotec Semiconductor |
GBS4B | Silicon Bridge Rectifiers | Galaxy Microelectronics |
GBS4B | Silicon-Bridge Rectifiers | Diotec Semiconductor |