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STU09N25 の電気的特性と機能

STU09N25のメーカーはSamHop Microelectronicsです、この部品の機能は「N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 STU09N25
部品説明 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
メーカ SamHop Microelectronics
ロゴ SamHop Microelectronics ロゴ 




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STU09N25 Datasheet, STU09N25 PDF,ピン配置, 機能
Green
Product
Sa mHop Microelectronics C orp.
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
STU09N25
STD09N25
Ver 1.0
PRODUCT SUMMARY
VDSS ID RDS(ON) (Ω) Max
250V
7.5A
0.4 @ VGS=10V
FEATURES
Super high dense cell design for low RDS(ON).
Rugged and reliable.
TO-252 and TO-251 Package.
G
S
STU SERIES
TO - 252AA( D- PAK )
G
DS
STD SERIES
TO - 251( I - PAK )
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25°C unless otherwise noted)
Symbol Parameter
VDS Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage
ID
Drain Current-Continuous a d
TC=25°C
TC=100°C
IDM -Pulsed b
PD
Maximum Power Dissipation
TC=25°C
TC=100°C
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage
Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
R JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
R JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Limit
250
±20
7.5
4.74
25
52
21
-55 to 150
2.4
50
Units
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C/W
°C/W
Details are subject to change without notice.
1
Sep,09,2013
www.samhop.com.tw

1 Page





STU09N25 pdf, ピン配列
STU09N25
STD09N25
10
VGS=10V
8 VGS=5V
6 VGS=4V
4
2
VGS=3V
0
012 34 5
VDS, Drain-to-Source Voltage(V)
Figure 1. Output Characteristics
0.90
0.75
0.60
0.45
0.30
V GS =10V
0.15
1
0.1 2 4 6 8 10
ID, Drain Current(A)
Figure 3. On-Resistance vs. Drain Current
and Gate Voltage
Ver 1.0
5
4
3
Tj=125 C
-55 C
2
25 C
1
0
0 123456
VGS, Gate-to-Source Voltage(V)
Figure 2. Transfer Characteristics
2.5
2.2 V G S =10V
I D =3 . 7 5 A
1.9
1.6
1.3
1.0
0
0 25 50 75 100 125 150
Tj(°C )
Tj, Junction Temperature(°C )
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature
1.6
1.4
V DS =V G S
ID=250uA
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Tj, Junction Temperature(°C )
Figure 5. Gate Threshold Variation
with Temperature
1.15
ID=10mA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Tj, Junction Temperature(°C )
Figure 6. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
Sep,09,2013
3 www.samhop.com.tw


3Pages


STU09N25 電子部品, 半導体
STU09N25
STD09N25
Ver 1.0
E
b2
L3
D1
1
L4
e
E1 D
23
b1
b
1
DETAIL "A"
A
C
TO-252
H
L2
SYMBOLS
A
A1
b
b1
b2
C
D
D1
E
E1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
1
L A1
L1 DETAIL "A"
MILLIMETERS
MIN MAX
2.100
2.500
0.000
0.400
0.200
0.889
0.770
1.140
4.800
5.460
0.400
0.600
5.300
6.223
4.900
5.515
6.300
4.400
6.731
5.004
2.290 REF
8.900
10.400
1.397
1.770
2.743 REF.
0.508 REF.
0.890
1.700
0.500
1.100
10°
7° REF.
INCHES
MIN MAX
0.083
0.098
0.000
0.016
0.030
0.008
0.035
0.045
0.189
0.016
0.215
0.024
0.209
0.245
0.193
0.217
0.248
0.173
0.265
0.197
0.090 BSC
0.350
0.409
0.055
0.070
0.108 REF.
0.020 REF.
0.035
0.067
0.020
0.043
0° 10°
7° REF.
Sep,09,2013
6 www.samhop.com.tw

6 Page



ページ 合計 : 10 ページ
 
PDF
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[ STU09N25 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
STU09N25

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

SamHop Microelectronics
SamHop Microelectronics


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