DataSheet.es    


PDF GFP50N06 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza GFP50N06
Descripción MOSFET ( Transistor )
Fabricantes Chinahaiso electronic　
Logotipo Chinahaiso electronic Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de GFP50N06 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 2 Páginas

No Preview Available ! GFP50N06 Hoja de datos, Descripción, Manual

Chinahaiso electronic Co.Ltd
http://www.chinahaiso.com
MOSFET
GFP 50N06
GFP 50N06
FEATURES (参数)
Low RDs(on) (0.023 Ω)@Vgs=10V
Low Gate Charge (Typical 39 nC)
Low Crss (typical 110 pF)
Maximum Junction Temperature range (175 ℃)
Absolute maximum ratings T=25℃ unless otherwise noted
Characteristics
Symbol
Drain-SourceVoltage
Drain Current
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
Thermal Resistance ,Junction-to Case
Drain-source Diode Forward Voltage
BVDSS
ID
VGS
EAS
PD
TSTG
RθJC
VSD
Value
60
50
±20
470
130
-55 –175
1.15
1.4
Units
V
A
V
mJ
W
℃
℃/W
V
1 of 2
http://www.Datasheet4U.com

1 page





PáginasTotal 2 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet GFP50N06.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
GFP50N03N-Channel Enhancement-Mode MOSFETGeneral Semiconductor
General Semiconductor
GFP50N06MOSFET ( Transistor )Chinahaiso electronic
Chinahaiso electronic

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar