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PDF GFP740 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza GFP740
Descripción MOSFET ( Transistor )
Fabricantes Chinahaiso 
Logotipo Chinahaiso Logotipo



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Chinahaiso electronic Co.Ltd
http://www.chinahaiso.com
MOSFET
GFP 740
GFP 740
General description
These N-channel enhancement mode silicon gate power field effect
transistor is an advanced power MOSFET designed, tested and
guranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown
avalanche mode of operation
All of these power MOSFETs are designed for applications such as
switching convertors relay drivers. These types can be operated
directly from integrated circuits.
Absolute maximum ratings T=25unless otherwise noted
Characteristics
Symbol
Drain-SourceVoltage
Drain Current
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
Thermal Resistance ,Junction-to Case
Drain-source Diode Forward Voltage
BVDSS
ID
VGS
EAS
PD
TSTG
RθJC
VSD
Value
400
10
±20
520
125
-55 –150
1..67
1.4
Units
V
A
V
mJ
W
℃/W
V
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
GFP740MOSFET ( Transistor )Chinahaiso
Chinahaiso

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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