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2SA1203のメーカーはTRANSYSです、この部品の機能は「Plastic-Encapsulate Transistors」です。 |
部品番号 | 2SA1203 |
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部品説明 | Plastic-Encapsulate Transistors | ||
メーカ | TRANSYS | ||
ロゴ | |||
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Transys
Electronics
LIMITED
SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors
2SA1203 TRANSISTOR (PNP)
FEATURES
Power dissipation
PCM : 0.5 W (Tamb=25℃)
Collector current
ICM : -1.5
Collector-base voltage
A
V(BR)CBO : -30 V
Operating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
SOT-89
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
1
2
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
hFE(1)
VCE(sat)
VBE
fT
Cob
Test conditions
Ic=-1mA, IE=0
Ic=-10mA, IB=0
IE=-1mA, IC=0
VCB=-30V, IE=0
VEB=-5V, IC=0
VCE=-2V, IC=-500mA
IC=-1.5A, IB=-30mA
VCE=-2V, IC=-500mA
VCE=-2V, IC=-500mA
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
MIN TYP MAX UNIT
-30 V
-30 V
-5 V
-0.1 µA
-0.1 µA
100 320
-2 V
-1 V
120 MHz
50 pF
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank
Range
Marking
O
100-200
HO1
Y
160-320
HY1
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
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ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 2SA1203 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SA1200 | SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE TRANSISTOR | Toshiba Semiconductor |
2SA1200 | High Voltage Switching Applications | Kexin |
2SA1201 | Silicon PNP Epitaxial Type Transistor | Toshiba Semiconductor |
2SA1201 | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR | Unisonic Technologies |