|
|
2SA1611WのメーカーはGalaxy Semi-Conductorです、この部品の機能は「PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor」です。 |
部品番号 | 2SA1611W |
| |
部品説明 | PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor | ||
メーカ | Galaxy Semi-Conductor | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューと2SA1611Wダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 4 pages
BL Galaxy Electrical
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
FEATURES
z High voltage VCEO=-50V.
z Excellent HFE Linearity.
z High DC current gain : hFE=200 typ.
z Complementary to 2SC4177.
Pb
Lead-free
Production specification
2SA1611W
APPLICATIONS
z Audio frequency general purpose amplifier applications.
ORDERING INFORMATION
Type No.
Marking
2SA1611W
M4/M5/M6/M7
SOT-323
Package Code
SOT-323
MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VCBO
Collector-Base Voltage
-60
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-50
VEBO
Emitter-Base Voltage
-5
IC Collector Current -Continuous
-100
PC Collector Dissipation
150
Tj,Tstg
Junction and Storage Temperature
-55~150
Units
V
V
V
mA
mW
℃
Document number: BL/SSSTF033
Rev.A
www.galaxycn.com
1
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
1 Page BL Galaxy Electrical
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
Production specification
2SA1611W
Document number: BL/SSSTF033
Rev.A
www.galaxycn.com
3
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
3Pages | |||
ページ | 合計 : 4 ページ | ||
|
PDF ダウンロード | [ 2SA1611W データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SA1611 | AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | NEC |
2SA1611 | Transistor | TRANSYS |
2SA1611 | Transistor | Kexin |
2SA1611 | PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor | SeCoS |