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2SA1020のメーカーはETCです、この部品の機能は「TO-92MOD Plastic-Encapsulated Transistors」です。 |
部品番号 | 2SA1020 |
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部品説明 | TO-92MOD Plastic-Encapsulated Transistors | ||
メーカ | ETC | ||
ロゴ | |||
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Transys
Electronics
LIMITED
TO-92MOD Plastic-Encapsulated Transistors
2SA1020 TRANSISTOR (PNP)
TO-92MOD
FEATURES
Power dissipation
PCM : 900 mW (Tamb=25℃)
Collector current
ICM : -2 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO : -50 V
Operating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
123
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
hFE(1)
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
Test conditions
Ic=-100µA, IE=0
Ic=-1mA, IB=0
IE=-100 µA, IC=0
VCB=-50 V, IE=0
VEB=-5 V, IC=0
VCE=-2 V, IC=-500 A
IC=-1A, IB=-50 mA
IC=-1 A, IB=-50 mA
VCE=-2 V, IC=-500 mA
MIN TYP MAX UNIT
-50 V
-50 V
-5 V
-1 µA
-1 µA
70 240
-0.5 V
-1.2 V
100 MHz
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank
Range
O
70-140
Y
120-240
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ページ | 合計 : 1 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 2SA1020 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SA102 | (2SA100 - 2SA104) Ge PNP Drift | ETC |
2SA1020 | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) | Toshiba Semiconductor |
2SA1020 | TO-92MOD Plastic-Encapsulated Transistors | ETC |
2SA1020 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | Unisonic Technologies |