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2SA1018のメーカーはPanasonic Semiconductorです、この部品の機能は「Silicon NPN triple diffusion planer type」です。 |
部品番号 | 2SA1018 |
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部品説明 | Silicon NPN triple diffusion planer type | ||
メーカ | Panasonic Semiconductor | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューと2SA1018ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 2 pages
Transistor
2SA1018
Silicon PNP epitaxial planer type
For general amplification
Complementary to 2SC1473
s Features
q High collector to emitter voltage VCEO.
s Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
–250
–200
–5
–100
–70
750
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
˚C
˚C
5.0±0.2
Unit: mm
4.0±0.2
+0.2
0.45 –0.1
1.27
+0.2
0.45 –0.1
1.27
123
2.54±0.15
1:Emitter
2:Collector
3:Base
JEDEC:TO–92
EIAJ:SC–43A
s Electrical Characteristics (Ta=25˚C)
Parameter
Symbol
Conditions
min typ max Unit
Collector cutoff current
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
ICEO
VCEO
VEBO
hFE*
VCE = –120V, IB = 0, Ta = 60˚C
IC = –100µA, IB = 0
IE = –1µA, IC = 0
VCE = –10V, IC = –5mA
–200
–5
60
–1 µA
V
V
220
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)
IC = –50mA, IB = –5mA
–1.5 V
Transition frequency
fT
VCB = –10V, IE = 10mA, f = 200MHz
50
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = –10V, IE = 0, f= 1MHz
10 pF
*hFE Rank classification
Rank
Q
hFE 60 ~ 150
R
100 ~ 220
1
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ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 2SA1018 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SA101 | (2SA100 - 2SA104) Ge PNP Drift | ETC |
2SA1010 | SILICON POWER TRANSISTOR | NEC |
2SA1010 | Silicon POwer Transistors | SavantIC |
2SA1010 | Trans GP BJT PNP 100V 7A 3-Pin(3+Tab) MP-25 | New Jersey Semiconductor |