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2SC4097 の電気的特性と機能

2SC4097のメーカーはROHM Semiconductorです、この部品の機能は「Medium Power Transistor (32V/ 0.5A)」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 2SC4097
部品説明 Medium Power Transistor (32V/ 0.5A)
メーカ ROHM Semiconductor
ロゴ ROHM Semiconductor ロゴ 




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2SC4097 Datasheet, 2SC4097 PDF,ピン配置, 機能
Transistors
2SC2411K / 2SC4097 / 2SC1741S
Medium Power Transistor (32V, 0.5A)
2SC2411K / 2SC4097 / 2SC1741S
!Features
1) High ICMax.
ICMax. = 0.5mA
2) Low VCE(sat).
Optimal for low voltage operation.
3) Complements the
2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854S.
!Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
!External dimensions (Units : mm)
2SC2411K
2SC4097
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(1) (2)
1.1+−00..21
0.8±0.1
0 0.1
(3)
All terminals have same dimensions
0.4+−00..105
0.15−+00..016
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65 0.65
(1) (2)
0.9±0.1
0.2 0.7±0.1
0 0.1
(3)
All terminals have same dimensions
0.3
+0.1
0
0.15±0.05
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
Abbreviated symbol : C*
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
Abbreviated symbol : C*
2SC1741S
4±0.2
2±0.2
0.45+−00..1055
2.5+−00..41
5
(1) (2) (3)
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
* Denotes hFE
0.5 0.45−+00..0155
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)
Parameter
Symbol
Limits
Collector-base voltage
VCBO
40
Collector-emitter voltage
VCEO
32
Emitter-base voltage
VEBO
5
Collector current
IC 0.5
Collector power dissipation
PC
0.2
Junction temperature Tj 150
Storage temperature
Tstg 55 ∼ +150
* PC must not be exceeded.
Unit
V
V
V
A*
W
°C
°C

1 Page





2SC4097 pdf, ピン配列
Transistors
2SC2411K / 2SC4097 / 2SC1741S
1
Ta=25°C
lC/lB=10
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.5 1 2
5 10 20 50 100 200 500 1000
COLLECTOR CURRENT : IC(mA)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
1000
500
Ta=100°C
200 75°C
50°C
100 25°C
0°C
50 −−2550°°CC
20
VCE=3V
10
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 5001000
COLLECTOR CURRENT : IC(mA)
Fig.5 DC current gain vs. collector current
500
Ta=25°C
VCE=5V
200
100
50
0.5 1 2
5 10 20
EMITTER CURRENT : IE(mA)
50
Fig. 6 Gain bandwidth product vs.
emitter current
50
Cib
20
Ta=25°C
f=1MHz
IE=0A
IC=0A
10 Cob
5
2
0.5 1
2
5 10 20
50
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB(V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB(V)
Fig.7 Collector output capacitance vs.
collector-base voltage
Emitter input capacitance vs.
emitter-base voltage


3Pages





ページ 合計 : 3 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ 2SC4097 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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Link :


部品番号部品説明メーカ
2SC4092

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD

NEC
NEC
2SC4093

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD

NEC
NEC
2SC4093-T1

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD

NEC
NEC
2SC4093-T2

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD

NEC
NEC


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