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PDF 1SS110 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 1SS110 | |
| Descripción | Switching Diode | |
| Fabricantes | Leshan Radio Company | |
| Logotipo |  |
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Switching Diode
*150mW DO-34
* Glass silicon switching diodes
* We declare that the material of product
compliance with RoHS requirements.
www.DataSheet4U.com
1SS110
Product Characteristic
Absolute Maximum Ratings(Ta=25°C)
Type
1SS110
VR(V)
35
IF(mA)
100
Pd(mW)
150
Topr(℃)
Tstg(℃)
-20~+60 -55~+125
Characteristics at Ta = 25°C
Parameter Symbol
Forward Voltage at IF=100mA
Leakage Current at VR=25V
Breakdown Voltage at IR=10uA
Capacitance at VR = 6V f =1MHZ
Forward resistance at IF=2mA f=100MHz
Inductance at f=250MHZ
symbol
VF
IR
V(BR)R
CT
rj
Ls
MIN
-
-
35
-
-
-
TYPE
-
-
-
-
-
3
MAX
1.0
0.1
-
1.2
0.9
-
Unit
V
uA
V
pF
Ω
nH
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 1SS110 | Silicon Epitaxial Planar Diode for Tuner Band Switch |  Hitachi Semiconductor |
| 1SS110 | Switching Diode | Leshan Radio Company |
| 1SS111 | Diode (spec sheet) |  American Microsemiconductor |
| 1SS112 | Diode (spec sheet) | American Microsemiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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