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PDF 2SA1267 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SA1267
Descripción PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Fabricantes FORWARD INTERNATIONAL ELECTRONICS　
Logotipo FORWARD INTERNATIONAL ELECTRONICS Logotipo



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FORWARD INTERNATIONAL ELECTRONICS LTD.
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
LOW FREQUENCY AMPLIFIER
* Complement to 2SC3199
* Collector-Emitter Voltage VCEO=-50V
2SA1267
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Package: TO-92S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Tamb=250C
Characteristic
Symbol Rating
Collector-Base Voltage
Vcbo -50
Collector-Emitter Voltage
Vceo -50
Emitter-Base Voltage
Vebo
-5
Collector Current
Ic -150
Collector Dissipation
Pc 450
Junction Temperature
Tj 150
Storage Temperature
Tstg -55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
0C
0C
PIN:
STYLE
1
23
NO.1
E
C
B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS at Tamb=250C
Characteristic
Symbol Min Typ
Collector-Base Breakdown Voltage
BVcbo -50
Collector-Emitter Breakdown Voltage BVceo -50
Emitter-Base Breakdown Voltage
BVebo -5
Collector Cutoff Current
Icbo
DC Current Gain
Hfe 70
Collector-Emitter Saturation Voltage Vce(sat)
Output Capacitance
Cob
Current Gain-Bandwidth Product
fT 80
Max Unit
Test Conditions
V Ic=-100uA Ie=0
V Ic=-1mA Ib=0
V Ie=-100uA Ic=0
-100 nA Vcb=-50V Ie=0
400 Vce=-6V Ic=-2mA
-0.3 V Ic=-100mA Ib=-10mA
7 pF Vcb=-10V Ie=0 f=1MHz
MHz Vce=-10V Ic=-1mA
CLASSIFICATION HFE
Classification
OY
GR
Hfe 70-140 120-240 200-400

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SA1261PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORETC
ETC
2SA1261SILICON POWER TRANSISTORSavantIC
SavantIC
2SA1261POWER TRANSISTORInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SA1261Trans GP BJT PNP 60V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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