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PDF 2SD2485 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SD2485 | |
| Descripción | Silicon NPN Epitaxial | |
| Fabricantes | Hitachi Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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2SD2485
Silicon NPN Epitaxial
Application
Low frequency power amplifier
Features
• Low saturation voltage
VCE(sat) = 0.1 V typ. (at IC = 1 A, IB = 50 mA)
• Large current capacitance
IC = 2 A
TO-92MOD.
32 1
1. Emitter
2. Collector
3. Base
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
———————————————————————————————————————————
Collector to base voltage
VCBO
80
V
———————————————————————————————————————————
Collector to emitter voltage
VCEO
80
V
———————————————————————————————————————————
Emitter to base voltage
VEBO
6
V
———————————————————————————————————————————
Collector current
IC 2 A
———————————————————————————————————————————
www.DataSheet4UC.oclolemctor peak current
ic(peak)*
3
A
———————————————————————————————————————————
Collector power dissipation
PC
0.9 W
———————————————————————————————————————————
Junction temperature
Tj 150 °C
———————————————————————————————————————————
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
———————————————————————————————————————————
Note: * PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤20 %
1 page  
Typical Transfer Characteristics
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4 Pulse test
VCE = 2 V
Ta = 25 °C
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Base to Emitter Voltage VBE (V)
www.DataSheet4U.com
2SD2485
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SD2480 | Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR |  Toshiba Semiconductor |
| 2SD2481 | Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR | Toshiba Semiconductor |
| 2SD2485 | Silicon NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 2SD2486 | Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification with high forward current transfer ratio) |  Panasonic Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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