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GM8550のメーカーはGTM CORPORATIONです、この部品の機能は「PNP EPITAXIAL TRANSISTOR」です。 |
部品番号 | GM8550 |
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部品説明 | PNP EPITAXIAL TRANSISTOR | ||
メーカ | GTM CORPORATION | ||
ロゴ | |||
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GM8550
PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
Description
The GM8550 is designed for use in 1W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation.
Package Dimensions
1/2
www.DataSheet4U.com
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
Tj
Tstg
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
BVCBO
BVCEO
BVEBO
Collector Current
Base Current
Total Power Dissipation
Characteristics at Ta = 25
IC
IB
PD
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
Min.
-40
-25
-6
Typ.
-
-
-
Max.
-
-
-
ICBO
IEBO
VCE(sat)
VBE(sat)
VBE(on)
- - -100
- - -100
- - -0.5
-1.2
- - -1
hfe1
hfe2
hfe3
45 -
-
120 - 500
40 -
-
fT
100 -
-
Classification Of hFE
Rank
hFE
C
120 - 200
D
160 - 300
Millimeter
Millimeter
Min. Max.
Min. Max.
A 4.4 4.6 G 3.00 REF.
B 4.05 4.25 H
1.50 REF.
C 1.50 1.70 I 0.40 0.52
D 1.30 1.50 J 1.40 1.60
E 2.40 2.60 K 0.35 0.41
F 0.89 1.20 L
5 TYP.
M 0.70 REF.
Ratings
+150
-55 ~ +150
-40
-25
-6
-1.5
-0.5
1
Unit
V
V
V
A
A
W
Unit
V
V
V
nA
nA
V
V
V
MHz
Test Conditions
IC=-100uA
IC=-2mA
IE=-100uA
VCB=-35V
VEB=-6V
IC=-0.8A, IB=-80mA
IC=-0.8A, IB=-80mA
VCE=-1V, IC=-10mA
VCE=-1V, IC=-5mA
VCE=-1V, IC=-100mA
VCE=-1V, IC=-800mA
VCE=-10V, IC=-20mA, f=100MHz
E
250 - 500
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ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ GM8550 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
GM8550 | PNP EPITAXIAL TRANSISTOR | GTM CORPORATION |