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STK0160IのメーカーはAUKです、この部品の機能は「Advanced Power MOSFET」です。 |
部品番号 | STK0160I |
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部品説明 | Advanced Power MOSFET | ||
メーカ | AUK | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとSTK0160Iダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 8 pages
Semiconductor
SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS
Features
• High Voltage: BVDSS=600V(Min.)
• Low Crss : Crss=4.3pF(Typ.)
• Low gate charge : Qg=4.5nC(Typ.)
www.DataShe•etL4Uo.wcomRDS(on) :RDS(on)=9.3Ω(Typ.)
Ordering Information
Type NO.
Marking
STK0160I
STK0160
Outline Dimensions
6.40~6.60
5.14~5.64
STK0160I
Advanced Power MOSFET
Package Code
I-PAK
unit : mm
2.20~2.40
0.40~0.60
9.96 Max.
0.86 Max.
2.30 Typ.
1
2
2.30 Typ.
3
KSD-T6Q001-000
1.32 Max.
0.60 Max.
PIN Connections
1. Gate
2. Drain
3. Source
1
1 Page STK0160I
Electrical Characteristics
Characteristic
Drain-source breakdown voltage
Gate-threshold voltage
Drain-source leakage current
Gate-source leakage
Drain-Source on-resistance
④
Forward transfer admittance ④
www.DataSheIentp4Uu.tcocmapacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
Symbol
Test Condition
BVDSS
VGS(th)
IDSS
IGSS
RDS(ON)
gfs
Ciss
Coss
ID=250μA, VGS=0
ID=250μA, VDS= VGS
VDS=600V, VGS=0V
VDS=0V, VGS=±30V
VGS=10V, ID=0.5A
VDS=10V, ID=0.5A
VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VDD=300V, VGS=10V
ID=1.0A, RG=25Ω
③④
VDD=300V, VGS=10V
ID=1.0A
③④
Min.
600
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
9.3
0.95
150
20
4.3
22.5
27
11.5
27
4.5
0.9
1.3
(Tc=25°C)
Max. Unit
-V
4.0 V
1 μA
±100 nA
11.5
Ω
-S
225
30 pF
6.4
-
-
ns
-
-
6.7
1.3 nC
1.9
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Characteristic
Symbol
Test Condition
Continuous source current
Source current (Pulsed)
①
IS Integral reverse diode
ISM in the MOSFET
Forward voltage
④ VSD VGS=0V, IS=1.0A
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
trr Is=1.0A, VGS=0V
Qrr dis/dt=100A/us
Note ;
① Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
② L=20mH, IAS=1.0A, VDD=50V, RG=25Ω
③ Pulse Test : Pulse Width< 300us, Duty cycle≤ 2%
④ Essentially independent of operating temperature
Min
-
-
-
-
-
Typ
-
-
-
160
0.59
(Tc=25°C)
Max Unit
1.0
A
4.0
1.4 V
- ns
- uC
KSD-T6Q001-000
3
3Pages Fig. 11 Gate Charge Test Circuit & Waveform
www.DataSheet4U.com
Fig. 12 Resistive Switching Test Circuit & Waveform
STK0160I
Fig. 13 EAS Test Circuit & Waveform
KSD-T6Q001-000
6
6 Page | |||
ページ | 合計 : 8 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ STK0160I データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
STK0160 | Advanced Power MOSFET | AUK |
STK0160D | Advanced Power MOSFET | AUK |
STK0160F | Advanced Power MOSFET | AUK |
STK0160I | Advanced Power MOSFET | AUK |