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STK0160I の電気的特性と機能

STK0160IのメーカーはAUKです、この部品の機能は「Advanced Power MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 STK0160I
部品説明 Advanced Power MOSFET
メーカ AUK
ロゴ AUK ロゴ 




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STK0160I Datasheet, STK0160I PDF,ピン配置, 機能
Semiconductor
SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS
Features
High Voltage: BVDSS=600V(Min.)
Low Crss : Crss=4.3pF(Typ.)
Low gate charge : Qg=4.5nC(Typ.)
www.DataSheetL4Uo.wcomRDS(on) :RDS(on)=9.3Ω(Typ.)
Ordering Information
Type NO.
Marking
STK0160I
STK0160
Outline Dimensions
6.40~6.60
5.14~5.64
STK0160I
Advanced Power MOSFET
Package Code
I-PAK
unit : mm
2.20~2.40
0.40~0.60
9.96 Max.
0.86 Max.
2.30 Typ.
1
2
2.30 Typ.
3
KSD-T6Q001-000
1.32 Max.
0.60 Max.
PIN Connections
1. Gate
2. Drain
3. Source
1

1 Page





STK0160I pdf, ピン配列
STK0160I
Electrical Characteristics
Characteristic
Drain-source breakdown voltage
Gate-threshold voltage
Drain-source leakage current
Gate-source leakage
Drain-Source on-resistance
Forward transfer admittance
www.DataSheIentp4Uu.tcocmapacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
Symbol
Test Condition
BVDSS
VGS(th)
IDSS
IGSS
RDS(ON)
gfs
Ciss
Coss
ID=250μA, VGS=0
ID=250μA, VDS= VGS
VDS=600V, VGS=0V
VDS=0V, VGS=±30V
VGS=10V, ID=0.5A
VDS=10V, ID=0.5A
VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VDD=300V, VGS=10V
ID=1.0A, RG=25
VDD=300V, VGS=10V
ID=1.0A
Min.
600
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
9.3
0.95
150
20
4.3
22.5
27
11.5
27
4.5
0.9
1.3
(Tc=25°C)
Max. Unit
-V
4.0 V
1 μA
±100 nA
11.5
Ω
-S
225
30 pF
6.4
-
-
ns
-
-
6.7
1.3 nC
1.9
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Characteristic
Symbol
Test Condition
Continuous source current
Source current (Pulsed)
IS Integral reverse diode
ISM in the MOSFET
Forward voltage
VSD VGS=0V, IS=1.0A
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
trr Is=1.0A, VGS=0V
Qrr dis/dt=100A/us
Note ;
Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
L=20mH, IAS=1.0A, VDD=50V, RG=25
Pulse Test : Pulse Width300us, Duty cycle2%
Essentially independent of operating temperature
Min
-
-
-
-
-
Typ
-
-
-
160
0.59
(Tc=25°C)
Max Unit
1.0
A
4.0
1.4 V
- ns
- uC
KSD-T6Q001-000
3


3Pages


STK0160I 電子部品, 半導体
Fig. 11 Gate Charge Test Circuit & Waveform
www.DataSheet4U.com
Fig. 12 Resistive Switching Test Circuit & Waveform
STK0160I
Fig. 13 EAS Test Circuit & Waveform
KSD-T6Q001-000
6

6 Page



ページ 合計 : 8 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ STK0160I データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
STK0160

Advanced Power MOSFET

AUK
AUK
STK0160D

Advanced Power MOSFET

AUK
AUK
STK0160F

Advanced Power MOSFET

AUK
AUK
STK0160I

Advanced Power MOSFET

AUK
AUK


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