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PDF GSBC848 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | GSBC848 | |
| Descripción | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | |
| Fabricantes | GTM | |
| Logotipo |  |
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ISSUED DATE :2005/06/08
REVISED DATE :
GSBC848
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The GSBC848 is designed for switching and AF amplifier application, suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits.
Package Dimensions
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Symbol
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature
Tstg
Collector to Base Voltage
VCBO
Collector to Emitter Voltage
VCEO
Emitter to Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Total Power Dissipation
PD
Characteristics at
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
VBE(on)1
Min.
30
30
5
-
-
-
-
-
580
VBE(on)2
hFE
fT
Cob
-
110
-
-
Ta = 25
Typ.
-
-
-
-
90
200
700
900
-
-
-
300
3.5
Max.
-
-
-
15
250
600
-
-
700
770
800
-
6
Classification Of hFE
Rank
Range
8CA
110 - 220
8CB
200 - 450
REF.
A
A1
A2
D
E
HE
Millimeter
Min. Max.
0.80 1.10
0 0.10
0.80 1.00
1.80 2.20
1.15 1.35
1.80 2.40
REF.
L1
L
b
c
e
Q1
Millimeter
Min. Max.
0.42 REF.
0.15 0.35
0.25 0.40
0.10 0.25
0.65 REF.
0.15 BSC.
Ratings
+150
-55 ~ +150
30
30
5
100
225
Unit
V
V
V
mA
mW
Unit
V
V
V
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
MHz
pF
Test Conditions
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=30V
IC=10mA, IB=0.5mA
IC=100mA, IB=5mA
IC=10mA, IB=0.5mA
IC=100mA, IB=5mA
VCE=5V, IC=2mA
VCE=5V, IC=10mA
VCE=5V, IC=2mA
VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=10V, f=1MHz, IE=0A
8CC
420 - 800
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| GSBC846 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | GTM |
| GSBC847 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | GTM |
| GSBC848 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | GTM |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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