DataSheet.jp

GS421SD の電気的特性と機能

GS421SDのメーカーはGTMです、この部品の機能は「SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 GS421SD
部品説明 SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
メーカ GTM
ロゴ GTM ロゴ 




このページの下部にプレビューとGS421SDダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。
Total 2 pages

No Preview Available !

GS421SD Datasheet, GS421SD PDF,ピン配置, 機能
www.DataSheet4U.com
CORPORATION ISSUED DATE :2005/12/20
REVISED DATE :
GS421SD
S U RFAC E MO U NT, S CH OTT K Y B AR R IE R DI OD E
VOLTAGE 40V, CURRENT 0. 1A
Description
The GS421SD is designed for low power rectification.
Package Dimensions
Absolute Maximum Ratings at TA = 25
Parameter
Junction Temperature
Storage Temperature
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Peak Forward Surge Current at 8.3mSec single half sine-wave
Typical Junction Capacitance between Terminal (Note 1)
Maximum Average Forward Rectified Current
Total Power Dissipation
REF.
A
A1
A2
D
E
HE
Millimeter
Min. Max.
0.80 1.10
0 0.10
0.80 1.00
1.80 2.20
1.15 1.35
1.80 2.40
REF.
L1
L
b
c
e
Q1
Millimeter
Min. Max.
0.42 REF.
0.15 0.35
0.25 0.40
0.10 0.25
0.65 REF.
0.15 BSC.
Symbol
Tj
Tstg
VRRM
VRMS
VDC
IFSM
CJ
Io
PD
Ratings
+125
-40 ~ +125
40
28
40
1.0
6.0
0.1
225
Unit
V
V
V
A
pF
A
mW
Electrical Characteristics (at TA = 25 unless otherwise noted)
Parameter
Symbol Min.
Typ.
Max.
Reverse Breakdown Voltage
V(BR)R
40
-
-
Maximum Instantaneous Forward Voltage
VF
-
-
- 340
- 550
Maximum Average Reverse Current
IR -
- 30
Notes: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 10 volts.
2. ESD sensitive product handling required.
Unit Test Conditions
V IR=100 A
mV IF1=10mA
IF2=100mA
uA VR=10V
GS421SD
Page: 1/2

1 Page







ページ 合計 : 2 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ GS421SD データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

Link :


部品番号部品説明メーカ
GS421SD

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

GTM
GTM


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap