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GBC858 の電気的特性と機能

GBC858のメーカーはGTMです、この部品の機能は「PNP EPITAXIAL TRANSISTOR」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 GBC858
部品説明 PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
メーカ GTM
ロゴ GTM ロゴ 




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GBC858 Datasheet, GBC858 PDF,ピン配置, 機能
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GBC858
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The GBC858 is designed for switching and AF amplifier application, suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits.
Package Dimensions
1/2
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Symbol
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature
Tstg
Collector to Base Voltage
VCBO
Collector to Emitter Voltage
VCEO
Emitter to Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Total Power Dissipation
PD
Characteristics at
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
VBE(on)1
VBE(on)2
hFE
fT
Cob
Min.
-30
-30
-5
-
-
-
-
-
-600
-
110
-
-
Ta = 25
Typ.
-
-
-
-
-90
-250
-700
-900
-
-
-
150
-
Max.
-
-
-
-15
-300
-650
-
-
-750
-800
800
-
6
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min. Max.
2.70 3.10
2.40 2.80
1.40 1.60
0.35 0.50
0 0.10
0.45 0.55
REF.
G
H
K
J
L
M
Millimeter
Min. Max.
1.90 REF.
1.00 1.30
0.10 0.20
0.40 -
0.85 1.15
0 10
Ratings
+150
-55 ~ +150
-30
-30
-5
-100
225
Unit
V
V
V
mA
mW
Unit
V
V
V
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
MHz
pF
Test Conditions
IC=-100uA
IC=-1mA
IE=-10uA
VCB=-30V
IC=-10mA, IB=-0.5mA
IC=-100mA, IB=-5mA
IC=-10mA, IB=-0.5mA
IC=-100mA, IB=-5mA
VCE=-5V, IC=-2mA
VCE=-5V, IC=-10mA
VCE=-5V, IC=-2mA
VCE=-5V, IC=-10mA
VCB=-10V, f=1MHz, IE=0A

1 Page







ページ 合計 : 2 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ GBC858 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
GBC856

PNP EPITAXIAL TRANSISTOR

GTM
GTM
GBC857

PNP EPITAXIAL TRANSISTOR

GTM
GTM
GBC858

PNP EPITAXIAL TRANSISTOR

GTM
GTM


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