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G8050のメーカーはGTMです、この部品の機能は「NPN EPITAXIAL TRANSISTOR」です。 |
部品番号 | G8050 |
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部品説明 | NPN EPITAXIAL TRANSISTOR | ||
メーカ | GTM | ||
ロゴ | |||
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www.DataSheet4U.com
CORPORATION ISSUED DATE :2004/12/27
REVISED DATE :
G8050
NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
Description
The G8050 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation.
Features
*High Collector current (IC: 1.5A)
*Complementary to G8550
Package Dimensions
D
E
S1
TO-92
S E A T IN G
PLANE
b1
e1
e
b
C
REF.
A
S1
b
b1
C
Millimeter
Min. Max.
4.45 4.7
1.02 -
0.36 0.51
0.36 0.76
0.36 0.51
REF.
D
E
L
e1
e
Millimeter
Min. Max.
4.44 4.7
3.30 3.81
12.70 -
1.150 1.390
2.42 2.66
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ,unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Ratings
Collector to Base Voltage
VCBO
40
Collector to Emitter Voltage
VCEO
25
Emitter to Base Voltage
VEBO
6
Collect Current
IC 1.5
Base Current
IB 0.5
Junction Temperature
Tj +150
Storage Temperature Range
TsTG
-55 ~ +150
Total Power Dissipation
PD 1
Unit
V
V
V
A
A
W
Electrical Characteristics(Ta = 25
Symbol
Min.
Typ.
BVCBO
40 -
BVCEO
25 -
BVEBO
6-
ICBO
--
IEBO
--
*VCE(sat)
--
*VBE(sat)
--
*VBE(on)
--
*hFE1
45 -
*hFE2
120 -
*hFE3
40 -
fT 100 -
Cob - 9
,unless otherwise specified)
Max.
Unit
Test Conditions
- V IC=100uA
- V IC=2mA
- V IE=100uA
100 nA VCB=35V
100 nA VBE=6V
0.5 V lC=800mA, IB=80mA
1.2 V lC=800mA, IB=80mA
1 V VCE=1V, IC=10mA
- VCE=1V, IC=5mA
500 VCE=1V, IC=100mA
- VCE=1V, IC=800mA
-
MHz
VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz
- pF VCB=10V, IE=0, f=1MHz
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle 2%
Classification Of hFE2
Rank
C
Range
120 ~ 200
D
160 ~ 320
E
250 ~ 500
G8050
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PDF ダウンロード | [ G8050 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
G8050 | NPN EPITAXIAL TRANSISTOR | GTM |
G8050S | NPN EPITAXIAL TRANSISTOR | GTM |
G8051 | NPN EPITAXIAL TRANSISTOR | GTM |
G8051S | NPN EPITAXIAL TRANSISTOR | GTM |