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PDF SFH4200 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | SFH4200 | |
| Descripción | (SFH4200 / SFH4205) Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode | |
| Fabricantes | Infineon Technologies | |
| Logotipo |  |
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Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm)
High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm)
SFH 4200
SFH 4205
SFH 4200
SFH 4205
Wesentliche Merkmale
• GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Gleichstrom- (mit Modulation) oder
Impulsbetrieb möglich
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
• Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns)
• Für Oberflächenmontage geeignet
• Gegurtet lieferbar
• SFH 4200 Gehäusegleich mit SFH 320
www.DataSheet4U.com SFH 4205 Gehäusegleich mit SFH 325
• SFH 4205: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet.
Features
• Very highly efficient GaAs-LED
• DC (with modulation) or pulsed operations are
possible
• High reliability
• High pulse handling capability
• Very short switching times (10 ns)
• Suitable for surface mounting (SMT)
• Available on tape and reel
• SFH 4200 same package as SFH 320
SFH 4205 same package as SFH 325
• SFH 4205: Suitable only for IR-reflow
soldering.
Anwendungen
• Schnelle Datenübertragung mit
Übertragungsraten bis 100 Mbaud
(IR Tastatur, Joystick, Multimedia)
• Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und
Videosignalübertragung
• Batteriebetriebene Geräte (geringe
Stromaufnahme)
• Anwendungen mit hohen
Zuverlässigkeitsansprüchen bzw. erhöhten
Anforderungen
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR Freiraumübertragung
Applications
• High data transmission rate up to 100 Mbaud
(IR keyboard, Joystick, Multimedia)
• Analog and digital Hi-Fi audio and video signal
transmission
• Low power consumption (battery) equipment
• Suitable for professional and high-reliability
applications
• Alarm and safety equipment
• IR free air transmission
2000-01-01
1 OPTO SEMICONDUCTORS
1 page  
SFH 4200, SFH 4205
Relative Spectral Emission
Irel = f (λ)
100
Ι rel
80
OHF00777
60
40
20
0
800 850 900 950 1000
nm 1100
λ
Max. Permissible Forward Current
IF = f (TA), RthJA1)
120 OHF00359
Ι F mA
100
80
RthJA = 450 K/W
60
40
20
0 0 20 40 60 80 100 ˚C 120
TA
Radiant
Intensity
Ie
Ie
100
mA
=
f
(IF)
Single pulse, tp = 20 µs
10 2 OHF00809
Ιe
Ι e (100 mA)
10 0
Forward Current IF = f (VF)
single pulse, tp = 20 µs
10 4
mA
ΙF
10 3
10 2
10 1
OHF00784
10 -1 10 0
10 -1
10 -2
10 -2
10 -3
10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4
ΙF
Radiation Characteristics Irel = f (ϕ)
10 -3
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 V 4.5
VF
40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚
ϕ 1.0
OHL01660
50˚ 0.8
60˚
70˚
80˚
90˚
100˚
1.0 0.8 0.6
0.4
0.6
0.4
0.2
0
0˚ 20˚ 40˚ 60˚
80˚ 100˚ 120˚
1) Thermal resistance junction -
ambient mounted on PC-board
(FR4), pad size 16 mm2 (each).
2000-01-01
5
OPTO SEMICONDUCTORS
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SFH420 | GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package |  Siemens Semiconductor Group |
| SFH420 | (SFH420 / SFH425) GaAs Infrared Emitter |  OSRAM GmbH |
| SFH4200 | (SFH4200 / SFH4205) Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode | Infineon Technologies |
| SFH4205 | (SFH4200 / SFH4205) Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode | Infineon Technologies |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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