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PDF SFH420 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | SFH420 | |
| Descripción | GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package | |
| Fabricantes | Siemens Semiconductor Group | |
| Logotipo |  |
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GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse
GaAs Infrared Emitter in SMT Package
3.0
2.6
2.1
1.7
2.3
0.1 (typ)
0.9
2.1 0.7
SFH 420
SFH 425
0.8
0.6
Cathode/Collector marking
Approx. weight 0.03 g
(2.4)
0.18 0.6
0.12 0.4
Cathode/Collector
GPL06724
SFH 420 TOPLED®
Cathode/
Collector
2.54
spacing
1.1
0.9
Anode/
Emitter
Collector/Cathode marking
(2.85)
GPL06880
(R1) SFH 425 SIDELED®
4.2
3.8
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
q GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
q Very highly efficient GaAs-LED
q Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen q Good Linearity (Ie = f [IF]) at high currents
q Gleichstrom- (mit Modulation) oder
q DC (with modulation) or pulsed operations
Impulsbetrieb möglich
are possible
q Hohe Zuverlässigkeit
q High reliability
q Hohe Impulsbelastbarkeit
q High pulse handling capability
q Oberflächenmontage geeignet
q Suitable for surface mounting (SMT)
q Gegurtet lieferbar
q Available on tape and reel
q SFH 420 Gehäusegleich mit SFH 320/421
q SFH 420 same package as SFH 320/421
SFH 425 Gehäusegleich mit SFH 325/426
SFH 425 same package as SFH 325/426
q SFH 425: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet. q SFH 425: Suitable only for IR-reflow
Bei Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns. soldering. In case of dip soldering, please
contact us first.
Semiconductor Group
1
1997-11-01
1 page  
SFH 420
SFH 425
Löthinweise
Soldering conditions
Bauform
Types
Tauch-, Schwall- und Schlepplötung
Dip, wave and drag soldering
Lötbad-
temperatur
Maximal
zulässige
Lötzeit
Abstand
Lötstelle –
Gehäuse
Reflowlötung
Reflow soldering
Lötzonen- Maximale
temperatur Durchlaufzeit
TOPLED
SIDELED
Temperature
of the
soldering
bath
Max. perm.
soldering
time
260 °C
10 s
––
Distance
between
solder joint
and case
–
–
Temperature Max. transit
of soldering time
zone
245 °C
:
≥ 225 °C
10 s
10 s
Zusätzliche Informationen über allgemeine Lötbedingungen finden Sie im Datenbuch S. 103ff.
For additional information on generel soldering conditions please refer to our Data Book on
page 169ff.
Permissible pulse handling capability
IF = f (tp)
duty cycle D = parameter, TA = 20 °C
10 4 OHR00860
Ι F mA
5
D
=
tp
T
D = 0.005
tp
T
ΙF
0.01
0.02
10 3 0.1
0.05
0.2
5
0.5
10 2 DC
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0
10 1 s 10 2
tp
Semiconductor Group
5
1997-11-01
5 Page | ||
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| PDF Descargar | [ Datasheet SFH420.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SFH420 | GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package | Siemens Semiconductor Group |
| SFH420 | (SFH420 / SFH425) GaAs Infrared Emitter |  OSRAM GmbH |
| SFH4200 | (SFH4200 / SFH4205) Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode |  Infineon Technologies |
| SFH4205 | (SFH4200 / SFH4205) Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode | Infineon Technologies |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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