DataSheet.jp

vhb2512f の電気的特性と機能

vhb2512fのメーカーはAdvanced Semiconductorです、この部品の機能は「NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 vhb2512f
部品説明 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
メーカ Advanced Semiconductor
ロゴ Advanced Semiconductor ロゴ 




このページの下部にプレビューとvhb2512fダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。
Total 1 pages

No Preview Available !

vhb2512f Datasheet, vhb2512f PDF,ピン配置, 機能
VHB25-12F
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI VHB25-12F is Designed for
Class C, 12.5 V High Band Applications
up to 175 MHz.
FEATURES:
Common Emitter
PG = 10 dB at 25 W/175 MHz
Omnigold™ Metalization System
MAXIMUM RATINGS
IC 4.0 A
VCBO
36 V
VCEO
18 V
VEBO
4.0 V
PDISS
65 W @ TC = 25 °C
TJ -65 °C to +200 °C
TSTG
-65 °C to +150 °C
θJC 3.5 °C/W
PACKAGE STYLE .380 4L FLG
.112 x 45°
B
A
EC
Ø.125 NOM.
FULL R
J
.125
BE
C
D
E
F
GH I
DIM
MINIMUM
inches / mm
A .220 / 5.59
B .785 / 19.94
C .720 / 18.29
D .970 / 24.64
E
F .004 / 0.10
G .085 / 2.16
H .160 / 4.06
I
J .240 / 6.10
MAXIMUM
inches / mm
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.255 / 6.48
ORDER CODE: ASI10714
CHARACTERISTICS TC = 25 °C
SYMBOL
NONETEST CONDITIONS
BVCEO
IC = 50 mA
BVCES
IC = 15 mA
BVEBO
IE = 5.0 mA
ICBO
VCB = 15 V
hFE VCE = 5.0 V
IC = 250 mA
COB VCB = 12.5 V
f = 1.0 MHz
PG
VCE = 12.5 V
POUT = 25 W
f = 175 MHz
ηC
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
18
36
4.0
5.0
20 ---
110
10
60
UNITS
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1200 FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. B
1/1

1 Page







ページ 合計 : 1 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ vhb2512f データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

Link :


部品番号部品説明メーカ
vhb2512f

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap