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VLB100-12のメーカーはAdvanced Semiconductorです、この部品の機能は「NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR」です。 |
部品番号 | VLB100-12 |
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部品説明 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | ||
メーカ | Advanced Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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VLB100-12
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI VLB100-12 is Designed for
FEATURES:
•
•
• Omnigold™ Metalization System
MAXIMUM RATINGS
IC 20 A
VCBO
36 V
VCEO
18 V
VEBO
PDISS
TJ
TSTG
θJC
4.0 V
270 W @ TC = 25 OC
-65 OC to +200 OC
-65 OC to +150 OC
0.65 OC/W
PACKAGE STYLE .500 4L FLG
A
FULL R
C
B
.112x45°
L
Ø.125 NOM.
E
H
D
GF
K
IJ
DIM
MINIMUM
inches / mm
MAXIMUM
inches / mm
A .220 / 5.59
.230 / 5.84
B .125 / 3.18
C .245 / 6.22
.255 / 6.48
D .720 / 18.28
.7.30 / 18.54
E .125 / 3.18
F .970 / 24.64
.980 / 24.89
G .495 / 12.57
.505 / 12.83
H .003 / 0.08
.007 / 0.18
I .090 / 2.29
.110 / 2.79
J .150 / 3.81
.175 / 4.45
K .280 / 7.11
L .980 / 24.89
1.050 / 26.67
ORDER CODE: ASI10740
CHARACTERISTICS TC = 25 OC
SYMBOL
NONETEST CONDITIONS
BVCBO
IC = 50 mA
BVCES
IC = 100 mA
BVCEO IC = 100 mA
BVEBO
IE = 10 mA
ICES VCE = 12.5 V
hFE VCE = 5.0 V
IC = 5.0 A
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
36
36
18
4.0
15
20 ---
UNITS
V
V
V
V
mA
---
COB VCB = 12.5 V
f = 1.0 MHz
400 pF
PG
VCC = 12.5 V
POUT = 100 W
ηC
f = 50 MHz
7.0
60
dB
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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PDF ダウンロード | [ VLB100-12 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
VLB100-12 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |