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VLB10-12SのメーカーはAdvanced Semiconductorです、この部品の機能は「NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR」です。 |
部品番号 | VLB10-12S |
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部品説明 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | ||
メーカ | Advanced Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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VLB10-12S
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI VLB10-12S is Designed for
FEATURES:
•
•
• Omnigold™ Metalization System
MAXIMUM RATINGS
IC 2.0 A
VCBO
36 V
VCEO
18 V
VCES
36 V
VEBO
PDISS
TJ
TSTG
θJC
4.0 V
20 W @ TC = 25 OC
-65 OC to +200 OC
-65 OC to +150 OC
5.0 OC/W
PACKAGE STYLE .380 4L STUD
.112x45°
A
B
ØC
D
#8-32 UNC-2A
HI
J
G
F
E
DIM
MINIMUM
inches / mm
A .220 / 5.59
B .980 / 24.89
C .370 / 9.40
D .004 / 0.10
E .320 / 8.13
F .100 / 2.54
G .450 / 11.43
H .090 / 2.29
I .155 / 3.94
J
MAXIMUM
inches / mm
.230 / 5.84
.385 / 9.78
.007 / 0.18
.330 / 8.38
.130 / 3.30
.490 / 12.45
.100 / 2.54
.175 / 4.45
.750 / 19.05
ORDER CODE: ASI10734
CHARACTERISTICS TC = 25 OC
SYMBOL
NONETEST CONDITIONS
BVCEO
IC = 15 mA
BVCES
IC = 50 mA
BVEBO
IE = 2.5 mA
ICBO
VCB = 12.5 V
hFE VCE = 5.0 V
IC = 250 mA
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
18
36
4.0
1.0
5.0 200
UNITS
V
V
V
mA
---
COB VCB = 12.5 V
f = 1.0 MHz
65 pF
PG
VCC = 12.5 V
POUT = 10 W
ηC
f = 50 MHz
10
60
dB
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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PDF ダウンロード | [ VLB10-12S データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
VLB10-12F | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
VLB10-12S | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |