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D1011 の電気的特性と機能

D1011のメーカーはSeme LABです、この部品の機能は「METAL GATE RF SILICON FET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 D1011
部品説明 METAL GATE RF SILICON FET
メーカ Seme LAB
ロゴ Seme LAB ロゴ 




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D1011 Datasheet, D1011 PDF,ピン配置, 機能
TetraFET
D1011UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
A
8
D7
6
5
1
2
CB
3
4
N
H
K
L
J
M
E
FG
SO8 PACKAGE
PIN 1 – SOURCE
PIN 2 – DRAIN
PIN 3 – DRAIN
PIN 4 – SOURCE
PIN 5 – SOURCE
PIN 6 – GATE
PIN 7 – GATE
PIN 8 – SOURCE
Dim.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
mm
4.06
5.08
1.27
0.51
3.56
4.06
1.65
0.76
0.51
1.02
45°
0.20
2.18
4.57
Tol.
±0.08
±0.08
±0.08
±0.08
±0.08
±0.08
±0.08
+0.25
-0.00
Min.
Max.
Max.
Min.
Max.
±0.08
Max.
±0.08
Inches
0.160
0.200
0.050
0.020
0.140
0.160
0.065
0.030
0.020
0.040
45°
0.008
0.086
0.180
Tol.
±0.003
±0.003
±0.003
±0.003
±0.003
±0.003
±0.003
+0.010
-0.000
Min.
Max.
Max.
Min.
Max.
±0.003
Max.
±0.003
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
P DMOS RF FET
10W – 28V – 1GHz
SINGLE ENDED
FEATURES
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
• VERY LOW Crss
• SIMPLE BIAS CIRCUITS
• LOW NOISE
• HIGH GAIN – 13 dB MINIMUM
APPLICATIONS
HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1 MHz to 1 GHz
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C unless otherwise stated)
PD Power Dissipation
30W
BVDSS
Drain – Source Breakdown Voltage
70V
BVGSS
Gate – Source Breakdown Voltage
±20V
ID(sat)
Drain Current
5A
Tstg Storage Temperature
–65 to 150°C
Tj Maximum Operating Junction Temperature
200°C
Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 1/96

1 Page







ページ 合計 : 2 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ D1011 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
D1010ADT

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

NIKO-SEM
NIKO-SEM
D1010UK

METAL GATE RF SILICON FET

Seme LAB
Seme LAB
D1011

METAL GATE RF SILICON FET

Seme LAB
Seme LAB
D1011UK

METAL GATE RF SILICON FET

Seme LAB
Seme LAB


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