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BUZ205 の電気的特性と機能

BUZ205のメーカーはSiemens Semiconductor Groupです、この部品の機能は「SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET)」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 BUZ205
部品説明 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET)
メーカ Siemens Semiconductor Group
ロゴ Siemens Semiconductor Group ロゴ 




このページの下部にプレビューとBUZ205ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。

Total 6 pages

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BUZ205 Datasheet, BUZ205 PDF,ピン配置, 機能
SIPMOS® Power Transistor
q N channel
q Enhancement mode
q FREDFET
BUZ 205
Type
BUZ 205
VDS
400 V
ID
6.0 A
RDS (on)
1.0
Package 1)
TO-220 AB
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current, TC = 35 ˚C
Pulsed drain current, TC = 25 ˚C
Drain-source voltage
Drain-gate voltage, RGS = 20 k
Gate-source voltage
Power dissipation, TC = 25 ˚C
Operating and storage temperature range
Symbol
ID
ID puls
VDS
VDGR
VGS
Ptot
Tj , Tstg
Thermal resistance, chip-case
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Rth JC
Ordering Code
C67078-A1401-A2
Values
6.0
24
400
400
± 20
75
– 55 ... + 150
1.67
E
55/150/56
Unit
A
V
W
˚C
K/W
1) See chapter Package Outlines.
Semiconductor Group
508

1 Page





BUZ205 pdf, ピン配列
BUZ 205
Electrical Characteristics (cont’d)
at Tj = 25 ˚C, unless otherwise specified.
Parameter
Reverse diode
Continuous reverse drain current
TC = 25 ˚C
Pulsed reverse drain current
TC = 25 ˚C
Diode forward on-voltage
IS = 12 A, VGS = 0 V
Reverse recovery time
VR = 100 V, IF = IDR , diF / dt = 100 A/µs
Reverse recovery charge
VR = 100 V, IF = IDR , diF / dt = 100 A/µs
Symbol
min.
Values
typ. max.
Unit
IS
ISM
VSD
trr
Qrr
1.3
180
0.65
6.0
24
1.6
250
1.2
A
V
ns
µC
Semiconductor Group
510


3Pages


BUZ205 電子部品, 半導体
Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter: VGS = 0 V, f = 1 MHz
Drain current
ID = f (TC)
parameter: VGS 10 V
BUZ 205
Forward characteristics of reverse diode
IF = f (VSD)
parameter: tp = 80 µs, Tj
Transient thermal impedance
Z th JC = f (tp)
parameter: D = tp / T
Semiconductor Group
513

6 Page



ページ 合計 : 6 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ BUZ205 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

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部品番号部品説明メーカ
BUZ20

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

Siemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BUZ20

12A/ 100V/ 0.200 Ohm/ N-Channel Power MOSFET

Intersil Corporation
Intersil Corporation
BUZ20

SIPMOS Power Transistor

Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
BUZ201

main ratings

Siemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group


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