|
|
BUZ205のメーカーはSiemens Semiconductor Groupです、この部品の機能は「SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET)」です。 |
部品番号 | BUZ205 |
| |
部品説明 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET) | ||
メーカ | Siemens Semiconductor Group | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとBUZ205ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 6 pages
SIPMOS® Power Transistor
q N channel
q Enhancement mode
q FREDFET
BUZ 205
Type
BUZ 205
VDS
400 V
ID
6.0 A
RDS (on)
1.0 Ω
Package 1)
TO-220 AB
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current, TC = 35 ˚C
Pulsed drain current, TC = 25 ˚C
Drain-source voltage
Drain-gate voltage, RGS = 20 kΩ
Gate-source voltage
Power dissipation, TC = 25 ˚C
Operating and storage temperature range
Symbol
ID
ID puls
VDS
VDGR
VGS
Ptot
Tj , Tstg
Thermal resistance, chip-case
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Rth JC
Ordering Code
C67078-A1401-A2
Values
6.0
24
400
400
± 20
75
– 55 ... + 150
≤ 1.67
E
55/150/56
Unit
A
V
W
˚C
K/W
–
1) See chapter Package Outlines.
Semiconductor Group
508
1 Page BUZ 205
Electrical Characteristics (cont’d)
at Tj = 25 ˚C, unless otherwise specified.
Parameter
Reverse diode
Continuous reverse drain current
TC = 25 ˚C
Pulsed reverse drain current
TC = 25 ˚C
Diode forward on-voltage
IS = 12 A, VGS = 0 V
Reverse recovery time
VR = 100 V, IF = IDR , diF / dt = 100 A/µs
Reverse recovery charge
VR = 100 V, IF = IDR , diF / dt = 100 A/µs
Symbol
min.
Values
typ. max.
Unit
IS –
ISM –
VSD –
trr –
Qrr –
–
–
1.3
180
0.65
6.0
24
1.6
250
1.2
A
V
ns
µC
Semiconductor Group
510
3Pages Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter: VGS = 0 V, f = 1 MHz
Drain current
ID = f (TC)
parameter: VGS ≥ 10 V
BUZ 205
Forward characteristics of reverse diode
IF = f (VSD)
parameter: tp = 80 µs, Tj
Transient thermal impedance
Z th JC = f (tp)
parameter: D = tp / T
Semiconductor Group
513
6 Page | |||
ページ | 合計 : 6 ページ | ||
|
PDF ダウンロード | [ BUZ205 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
BUZ20 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) | Siemens Semiconductor Group |
BUZ20 | 12A/ 100V/ 0.200 Ohm/ N-Channel Power MOSFET | Intersil Corporation |
BUZ20 | SIPMOS Power Transistor | Infineon Technologies AG |
BUZ201 | main ratings | Siemens Semiconductor Group |