DataSheet.jp

1N4152 の電気的特性と機能

1N4152のメーカーはCHENYI ELECTRONICSです、この部品の機能は「SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 1N4152
部品説明 SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE
メーカ CHENYI ELECTRONICS
ロゴ CHENYI ELECTRONICS ロゴ 




このページの下部にプレビューと1N4152ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。

Total 1 pages

No Preview Available !

1N4152 Datasheet, 1N4152 PDF,ピン配置, 機能
CE
CHENYI ELECTRONICS
FEATURES
. Silicon epitaxial planar diode
. Fast swithching diodes
. 1N4149, 1N4447, 1N4449 are also
avaible in glass case DO-34
MECHANICAL DATA
. Case: DO-35 glass case
. Polarity: Color brand denotes cathode end
. Weight: Approx. 0.13gram
1N914 THRU 1N4454
SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Type
1N914
1N41491)
1N4150
1N4152
1N4153
1N4154
1N44471)
1N44491)
1N4450
1N4451
1N4453
1N4454
Peak Max. Max. Max.
reverse Aver. Power Junction
voltage Rectified Dissip tempera-
VRM(V) Current At 25 ture
I(AV)Ma Ptot(mW) TJ
Max.
Forward
Voltage
drop
VF at IF
(V) (mA)
Max.
Reverse
Current
Max. Reverse Recovery Time
IR at trr(ns)
(nA) VR(V) Max.
Test conditions
100 75 500 200 1.0 10 25 20 4.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA
100 150 500 200 1.0 10 25 20 4.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA
50 200 500 200 1.0 200 100 50 4.0 IF=IR=10 to 200mA, to 0.1 IF
40 150 400 175 0.55 0.10 50 30 2.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA
75 150 400 175 0.55 0.10 50 50 2.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA
35 1502) 500 200 1.0 0.10 100 25 2.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA
100 150 500 200 1.0 20 25 20 4.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA
100 150 500 200 1.0 30 25 20 4.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA
40 150 400 175 0.54 0.50 50 30 4.0 IF=IR=10mA to, IR=1mA
40 150 400 175 0.50 0.10 50 30 10 IF=IR=10mA to, IR=1mA
30 150 400 175 0.55 0.01 50 20
75 150 400 175 1.0 10 100 50 4.0 IF=IR=10mA to, IR=1mA
Notes: 1.These diodes are also available in glass case DO-34
2.Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature parameters for diodes
in case DO-34: Ptot=300mW TSTG=-65 to +175
TJ=175 R JA=400K/W
Copyright @ 2000 SHANGHAI CHENYI ELECTRONICS CO.,LTD
This datasheet has been downloaded from http://www.digchip.com at this page
Page 1 of 1

1 Page







ページ 合計 : 1 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ 1N4152 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

Link :


部品番号部品説明メーカ
1N4150

High-speed diodes

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
1N4150

Silicon Epitaxial Planar Diode

Vishay Telefunken
Vishay Telefunken
1N4150

SIGNAL DIODE

Rectron Semiconductor
Rectron Semiconductor
1N4150

High Conductance Ultra Fast Diode

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap