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MJE13003DT の電気的特性と機能

MJE13003DTのメーカーはSI Semiconductorsです、この部品の機能は「TRANSISTORS」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 MJE13003DT
部品説明 TRANSISTORS
メーカ SI Semiconductors
ロゴ SI Semiconductors ロゴ 




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MJE13003DT Datasheet, MJE13003DT PDF,ピン配置, 機能
深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
NPN D 系列晶体管/ D SERIES TRANSISTORS
MJE13003DT
●特点:耐高压 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范
FEATURES:■HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA RoHS COMPLIANT
●应用:节能灯 电子镇流器 电子变压器 开关电源
APPLICATION: FLUORESCENT LAMP ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER
SWITCH MODE POWER SUPPLY
●最大额定值(Tc=25°C
Absolute Maximum RatingsTc=25°CTO-251/251S
参数
符号
额定值
单位
PARAMETER
SYMBO
VALUE
UNIT
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
L
VCBO
700
V
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
VCEO
400
V
发射极-基极电压
Emitter- Base Voltage
VEBO
9
V
集电极电流
Collector Current
IC 2 A
集电极耗散功率
Total Power Dissipation
Ptot
40 W
最高工作温度
Junction Temperature
Tj
150 °C
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-65-150
°C
●电特性(Tc=25°C
Electronic CharacteristicsTc=25°C
参数名称
符号
测试条件
CHARACTERISTICS
集电极-基极截止电流
Collector-Base Cutoff Current
集电极-发射极截止电流
Collector-Emitter Cutoff Current
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
发射极 -基极电压
Emitter- Base Voltage
SYMBOL
ICBO
ICEO
VCBO
VCEO
VEBO
TEST CONDITION
VCB=700V
VCE=400V,IB=0
IC=1mA,IE=0
IC=10mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
集电极-发射极饱和电压
Collector-Emitter Saturation Voltage
发射极-基极饱和电压
Base-Emitter Saturation Voltage
Vcesat
Vbesat
IC=1.0A,IB=0.25A
IC=1.5A,IB=0.5A
IC=0.5A,IB=0.1A
电流放大倍数
DC Current Gain
VCE=5V,IC=1mA
hFE VCE=5V,IC=0.5A
VCE=5V,IC=2A
贮存时间/Storage Time
下降时间/Falling Time
内置二极管正向压降
Diode Forward Voltage
tS VCC=5V,IC=0.25A
tf (UI9600 )
VF IF=2A
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
最小值
MIN
700
400
9
7
10
5
2.0
最大值
MAX
100
250
0.5
0.6
1.2
40
3.5
0.8
2.2
单位
UNIT
μA
μA
V
V
V
V
V
µs
V
包装形式/PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料
Normal Package Material
无卤塑封料
Halogen Free
TO-251 251S 普通袋装/NORMALPACKING MJE13003DT TO-251 251S MJE13003DT TO-251-HF 251S-HF
TO-251 251S 条管装/TUBE PACKING
MJE13003DT TO-251
251S-TU
MJE13003DT TO-251 251S-TU-HF
Si semiconductors 2014.10
1

1 Page





MJE13003DT pdf, ピン配列
深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
符号/SYMBOL
A
A1
B
b
b1
c
c1
D
D1
E
e
L
TO-251 封装机械尺寸
TO-251 (IPAK) MECHANICAL DATA
单位:毫米/UNITmm
最小值/min
典型值/nom
最大值/max
2.10
2.50
0.95
1.30
0.80
1.25
0.50
0.80
0.70
0.90
0.45
0.70
0.45
0.70
6.35
6.80
5.10
5.50
5.30
6.30
2.25
2.30
2.35
7.00
9.20
Si semiconductors 2014.10
3


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ MJE13003DT データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
MJE13003D

TRANSISTORS

SI Semiconductors
SI Semiconductors
MJE13003D

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Dc Components
Dc Components
MJE13003D

NPN SILICON TRANSISTOR

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
MJE13003D-P

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies


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