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GBS4AのメーカーはGalaxy Microelectronicsです、この部品の機能は「Silicon Bridge Rectifiers」です。 |
部品番号 | GBS4A |
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部品説明 | Silicon Bridge Rectifiers | ||
メーカ | Galaxy Microelectronics | ||
ロゴ | |||
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Production specification
Silicon Bridge Rectifiers
FEATURES
z Rating to 1000V PRV
z Surge overload rating to 120 Amperes peak
z Reliable low cost construction utilizing molded
plastic technique results in inexpensive product
z Lead solderable per MIL-STD-202 method 208
GBS4A--GBS4M
Pb
Lead-free
Maximum Ratings(@TA = 25°C unless otherwise specified)
Characteristic
GBS GBS
Symbol
4A 4B
Maximum recurrent peak reverse voltage
VRRM
50 100
GBS
4D
200
GBS
4G
400
GBS
4J
600
GBS
4K
800
GBS
4M
1000
UNITS
V
Maximum RMS voltage
VRMS
35 70 140 280 420 560 700
V
Maximum DC blocking voltage
VDC
50 100 200 400 600 800 1000
V
50Hz sine wave, R-load Without heat sink Ta=25℃
50Hz sine wave, R-load With heat sink Tc=50℃
IF(AV)
1.5
4.0
A
Peak forward surge current
8.3ms single half-sine-wave
superimposed on rated load
IFSM
120
A
Thermal Characteristics
Characteristic
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Symbol
TJ
TSTG
Value
- 55 ---- + 150
- 55 ---- + 150
UNITS
℃
℃
Electrical Characteristics (@TA = 25°C unless otherwise specified)
Characteristic
Symbol
Maximum instantaneous forward voltage @2.0A
Maximum reverse current @TA=25 ℃
at rated DC blocking voltage @TA=100℃
VF
IR
Value
1.05
5.0
500
UNITS
V
μA
Document Number:GBS801AA
www.gmicroelec.com
1
1 Page Silicon Bridge Rectifiers
Production specification
GBS4A--GBS4M
Document Number:GBS801AA
www.gmicroelec.com
3
3Pages | |||
ページ | 合計 : 3 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ GBS4A データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
GBS4A | Silicon Bridge Rectifiers | Galaxy Microelectronics |
GBS4A | Silicon-Bridge Rectifiers | Diotec Semiconductor |
GBS4B | Silicon Bridge Rectifiers | Galaxy Microelectronics |
GBS4B | Silicon-Bridge Rectifiers | Diotec Semiconductor |