|
|
2CR104B8CのメーカーはHuajing Microelectronicsです、この部品の機能は「N-type Silicon Schottky Rectifier Diode」です。 |
部品番号 | 2CR104B8C |
| |
部品説明 | N-type Silicon Schottky Rectifier Diode | ||
メーカ | Huajing Microelectronics | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューと2CR104B8Cダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 5 pages
硅 N 型快恢复整流二极管
2CR104B8C
○R
1 产品概述:
2CR104B8C 是 N 型硅外延超快恢复二极管,采用平面制造工艺及
重金属掺杂工艺,具有低正向压降、低反向漏电及超快反向恢复
速度的优点。
产品封装形式:TO-220AC,符合 RoHS 指令要求。
2 产品特点:
l 超快反向恢复速度
l 超低反向漏电
l 低正向压降
l 高抗浪涌能力
3 主要用途:
应用于高频电源开关、电源转换电路及常规用途等,如:
l 电动车充电器
l 不间断电源(UPS)
l 缓冲器
l 逆变器
l 电机驱动
特征参数
VR
IF(AV)
VF(IF=10A)
trr(IF=0.5A)
400
10
1.3
40
V
A
V
ns
内部等效原理图
1
2
产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
部件名称
(含量要求)
引线框
塑封树脂
管芯
内引线
焊料
说明
有害物质或元素
铅 汞 镉 六价铬 多溴联苯 多溴二苯醚
(Pb) (Hg) (Cd) (Cr(VI)) (PBB) (PBDE)
≤0.1% ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1% ≤0.1%
≤0.1%
○○○○○
○
○○○○○
○
○○○○○
○
○○○○○
○
×○○○○
○
○:表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中含有铅(Pb)成分,但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/5
1 Page 5 特性曲线
2CR104B8C
图(1) VF-IF 关系曲线
○R
图(2) IR-VR 关系曲线
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
3/5
3Pages | |||
ページ | 合計 : 5 ページ | ||
|
PDF ダウンロード | [ 2CR104B8C データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2CR104B8C | N-type Silicon Schottky Rectifier Diode | Huajing Microelectronics |