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3DD4513A1D PDF Datasheet ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 3DD4513A1D
部品説明 Silicon NPN Transistor
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 

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3DD4513A1D Datasheet, 3DD4513A1D PDF,ピン配置, 機能
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4513 A1D
R
产品概述
3DD4513 A1D NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
成了有源抗饱和网络
高了产品击穿电压开关
和可靠性。
产品特点
开关
反向漏电流小
特性好
合适的开关
可靠性高
应用
充电器
电源转换
一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
Ptot Ta=25℃)
450
1.3
0.8
单位
V
A
W
封装 TO-92
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
E
额定值
800
450
9
1.3
2.6
0.65
1.3
0.8
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热阻
参数名称
结到环境的热阻
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
156
单位
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
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部品番号部品説明メーカ
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