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Datasheet MTE013N08E3 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | MTE013N08E3 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C161E3 Issued Date : 2016.01.17 Revised Date : 2016.02.19 Page No. : 1/ 8
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTE013N08E3 BVDSS
ID@VGS=10V, TC=25°C
ID@VGS=10V, TA=25°C
Features
RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A
• Low On Resistance • Simple Drive Requirem |
Cystech Electonics |
MTE013N0 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
MTE013N08H8 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
Cystech Electonics |
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MTE013N08E3 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
Cystech Electonics |
Esta página es del resultado de búsqueda del MTE013N08E3. Si pulsa el resultado de búsqueda de MTE013N08E3 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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