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BUZ211のメーカーはInchange Semiconductorです、この部品の機能は「N-Channel MOSFET Transistor」です。 |
部品番号 | BUZ211 |
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部品説明 | N-Channel MOSFET Transistor | ||
メーカ | Inchange Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
BUZ211
DESCRIPTION
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.8Ω(Max)
·SOA is Power Dissipation Limited
APPLICATIONS
designed for applications such as switching regulators,
switching converters, motor drivers,relay drivers and
drivers for high power bipolar switching transistors
requiring high speed and low gate drive power.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL ARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
VGS
ID
Ptot
Tj
Tstg
Drain-Source Voltage (VGS=0)
500 V
Gate-Source Voltage
±20
V
Drain Current-continuous@ TC=37℃ 9 A
Total Dissipation@TC=25℃
125 W
Max. Operating Junction Temperature -55~150 ℃
Storage Temperature Range
-55~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
1.0 ℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn
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PDF ダウンロード | [ BUZ211 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
BUZ21 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) | Siemens Semiconductor Group |
BUZ21 | 19A/ 100V/ 0.100 Ohm/ N-Channel Power MOSFET | Intersil Corporation |
BUZ21 | SIPMOS Power Transistor | Infineon Technologies AG |
BUZ210 | (BUZ210 / BUZ211) Power Transistors | Siemens |