DataSheet.jp

BUZ211 の電気的特性と機能

BUZ211のメーカーはInchange Semiconductorです、この部品の機能は「N-Channel MOSFET Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 BUZ211
部品説明 N-Channel MOSFET Transistor
メーカ Inchange Semiconductor
ロゴ Inchange Semiconductor ロゴ 




このページの下部にプレビューとBUZ211ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。
Total 2 pages

No Preview Available !

BUZ211 Datasheet, BUZ211 PDF,ピン配置, 機能
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
BUZ211
DESCRIPTION
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.8Ω(Max)
·SOA is Power Dissipation Limited
APPLICATIONS
designed for applications such as switching regulators,
switching converters, motor drivers,relay drivers and
drivers for high power bipolar switching transistors
requiring high speed and low gate drive power.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL ARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
VGS
ID
Ptot
Tj
Tstg
Drain-Source Voltage (VGS=0)
500 V
Gate-Source Voltage
±20
V
Drain Current-continuous@ TC=379 A
Total Dissipation@TC=25
125 W
Max. Operating Junction Temperature -55~150
Storage Temperature Range
-55~150
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
1.0 /W
isc websitewww.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn

1 Page







ページ 合計 : 2 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ BUZ211 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

Link :


部品番号部品説明メーカ
BUZ21

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

Siemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BUZ21

19A/ 100V/ 0.100 Ohm/ N-Channel Power MOSFET

Intersil Corporation
Intersil Corporation
BUZ21

SIPMOS Power Transistor

Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
BUZ210

(BUZ210 / BUZ211) Power Transistors

Siemens
Siemens


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap