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BDY13-6のメーカーはInchange Semiconductorです、この部品の機能は「Silicon NPN Power Transistor」です。 |
部品番号 | BDY13-6 |
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部品説明 | Silicon NPN Power Transistor | ||
メーカ | Inchange Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BDY13-6
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 60V(Min.)
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1V(Max)@ IC = 3A
·High Switching Speed
APPLICATIONS
·Designed for LF signal powe amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
80 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
60 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
5A
IB Base Current
0.3 A
PC
Collector Power Dissipation@TC=25℃
26
W
TJ Junction Temperature
175 ℃
Tstg Storage Temperature
-65~125 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
5 ℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
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ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ BDY13-6 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
BDY13-10 | NPN Silicon Planar Trnasistors | Siemens Semiconductor Group |
BDY13-16 | NPN Silicon Planar Trnasistors | Siemens Semiconductor Group |
BDY13-6 | NPN Silicon Planar Trnasistors | Siemens Semiconductor Group |
BDY13-6 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |