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BDT60C の電気的特性と機能

BDT60CのメーカーはInchange Semiconductorです、この部品の機能は「Silicon PNP Power Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 BDT60C
部品説明 Silicon PNP Power Transistor
メーカ Inchange Semiconductor
ロゴ Inchange Semiconductor ロゴ 




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BDT60C Datasheet, BDT60C PDF,ピン配置, 機能
INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon PNP Darlington Power Transistors
BDT60/A/B/C
DESCRIPTION
·DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= -1.5A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT60; -80V(Min)- BDT60A;
-100V(Min)- BDT60B; -120V(Min)- BDT60C
·Complement to Type BDT61/A/B/C
APPLICATIONS
·Designed for use in audio amplifier output stages , general
purpose amplifier and high speed switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
BDT60
-60
VCBO
Collector-Base
Voltage
BDT60A
BDT60B
-80
-100
V
BDT60C
-120
BDT60
-60
VCEO
Collector-Emitter
Voltage
BDT60A
BDT60B
-80
-100
V
BDT60C
-120
VEBO Emitter-Base Voltage
-5 V
IC Collector Current-Continuous
-4 A
IB Base Current
Collector Power Dissipation
PC
Ta=25
Collector Power Dissipation
TC=25
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Ttemperature Range
-0.1
2
50
150
-65~150
A
W
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c
Rth j-c
Thermal Resistance,Junction to Case
Thermal Resistance,Junction to Ambient
MAX
2.5
62.5
UNIT
/W
/W
isc websitewww.iscsemi.cn
1

1 Page







ページ 合計 : 2 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ BDT60C データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
BDT60

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

Power Innovations Limited
Power Innovations Limited
BDT60

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

TRSYS
TRSYS
BDT60

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

New Jersey Semi-Conductor
New Jersey Semi-Conductor
BDT60

Silicon PNP Power Transistor

Inchange Semiconductor
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