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BDT60CのメーカーはInchange Semiconductorです、この部品の機能は「Silicon PNP Power Transistor」です。 |
部品番号 | BDT60C |
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部品説明 | Silicon PNP Power Transistor | ||
メーカ | Inchange Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon PNP Darlington Power Transistors
BDT60/A/B/C
DESCRIPTION
·DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= -1.5A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT60; -80V(Min)- BDT60A;
-100V(Min)- BDT60B; -120V(Min)- BDT60C
·Complement to Type BDT61/A/B/C
APPLICATIONS
·Designed for use in audio amplifier output stages , general
purpose amplifier and high speed switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
BDT60
-60
VCBO
Collector-Base
Voltage
BDT60A
BDT60B
-80
-100
V
BDT60C
-120
BDT60
-60
VCEO
Collector-Emitter
Voltage
BDT60A
BDT60B
-80
-100
V
BDT60C
-120
VEBO Emitter-Base Voltage
-5 V
IC Collector Current-Continuous
-4 A
IB Base Current
Collector Power Dissipation
PC
Ta=25℃
Collector Power Dissipation
TC=25℃
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Ttemperature Range
-0.1
2
50
150
-65~150
A
W
℃
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c
Rth j-c
Thermal Resistance,Junction to Case
Thermal Resistance,Junction to Ambient
MAX
2.5
62.5
UNIT
℃/W
℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
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ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ BDT60C データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
BDT60 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS | Power Innovations Limited |
BDT60 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS | TRSYS |
BDT60 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS | New Jersey Semi-Conductor |
BDT60 | Silicon PNP Power Transistor | Inchange Semiconductor |