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MMBT2907 の電気的特性と機能

MMBT2907のメーカーはWEITRONです、この部品の機能は「PNP General Purpose Transistors」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 MMBT2907
部品説明 PNP General Purpose Transistors
メーカ WEITRON
ロゴ WEITRON ロゴ 




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MMBT2907 Datasheet, MMBT2907 PDF,ピン配置, 機能
PNP General Purpose Transistors
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base VOltage
Collector Current-Continuous
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
MMBT2907
MMBT2907A
COLLECTOR
3
3
1
BASE
2
EMITTER
1
2
SOT-23
2907
-40
2907A
-60
-60
-5.0
-600
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Total Device Dissipation FR-5 Board (1)
TA=25 C
Derate above 25 C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Total Device Dissipation
Alumina Substrate, (2) TA=25 C
Derate above 25 C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage, Temperature
DEVICE MARKING
MMBT2907=M2B; MMBT2907A=2F
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol
PD
R qJA
PD
R qJA
TJ,Tstg
Max
225
1.8
556
300
2.4
417
-55 to +150
Unit
mW
mW/ C
C/W
mW
mW/ C
C/W
C
Symbol Min Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage (IC= -10 mAdc, IB=0)
MMBT2907
MMBT2907A
V(BR)CEO
-40
-60
-
-
Vdc
Collector-Base Breakdown Voltage (IC= -10 µAdc, IE=0)
V(BR)CBO
-60
-
Vdc
Emitter-Base Breakdown Voltage (IE= -10 µAdc, IC=0)
V(BR)EBO
-5.0
-
Vdc
Collector Cutoff Current (VCE= -30 Vdc, VEB (0ff )= -0.5Vdc)
ICEX - -50 nAdc
Collector Cutoff Current (VCB= -50 Vdc, IE=0)
(VCB= -50Vdc, IE=0, TA=125 C)
Base Cutoff Current (VCE= -30Vdc, VEB(off )= -0.5Vdc)
MMBT2907
MMBT22907A
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907A
ICBO
IB
- -0.020
- -0.010
- -20 nAdc
- -10
- -50 nAdc
1.FR-5=1.0 x 0.75 x 0.062 in
2.Alumina=0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina
WEITRON
http://www.weitron.com.tw

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MMBT2907 pdf, ピン配列
MMBT2907
MMBT2907A
Typical Electrical Characteristics
500
400 125 C
300
25 C
200
VCE=5V
100
-40 C
0
0.1 0.3 1 3 10 30 100 300
IC COLLECTOR CURRENT(mA)
FIG.1 Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
1
0.8 -40 C
25 C
0.6
125 C
0.4
0.2
b=10
0 1 10 100 500
Ic-COLLECTOR CURRENT (mA)
FIG.3 Base-Emitter Saturation Voltage
vs Collector Current
100
VCB=35V
10
1
0.1
0.01
25
50 75 100
TA- AMBIENT TEMPERATURE ( C)
FIG.5 Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
125
0.5
b=10
0.4
0.3
25 C
0.2
0.1 125 C
-40 C
0
1 10 100 500
IC COLLECTOR CURRENT(mA)
FIG.2 Collector-Emitter Saturation
Voltage vs collector Current
1
0.8 -40 C
0.6 25 C
125 C
0.4
0.2 VCE=5V
0
0.1 1
10
Ic-COLLECTOR CURRENT (mA)
FIG.4 Base Emitter ON Voltage
vs Collector Current
25
20
16
12
Cib
8
4 Cob
0
-0.1
-1
-10 -50
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
FIG.6 Input and Output Capacitance
vs Reverse Bias Voltage
WEITRON
http://www.weitron.com.tw


3Pages


MMBT2907 電子部品, 半導体
MMBT2907
MMBT2907A
SOT-23 Package Outline Dimensions
A
TOP VIEW
BC
E GD
H
K
L
J
M
Unit:mm
Dim Min Max
A 0.35 0.51
B 1.19 1.40
C 2.10 3.00
D 0.85 1.05
E 0.46 1.00
G 1.70 2.10
H 2.70 3.10
J 0.01 0.13
K 0.89 1.10
L 0.30 0.61
M 0.076 0.25
WEITRON
http://www.weitron.com.tw

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ページ 合計 : 6 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ MMBT2907 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
MMBT2907

PNP General Purpose Amplifier

Galaxy Microelectronics
Galaxy Microelectronics
MMBT2907

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

MIC
MIC
MMBT2907

PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER

ART CHIP
ART CHIP
MMBT2907

PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)

Samsung
Samsung


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