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データシート 2CR106A8C PDF ダウンロード ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 2CR106A8C
部品説明 N-type Silicon Schottky Rectifier Diode
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 
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2CR106A8C Datasheet, 2CR106A8C PDF,ピン配置, 機能
产品概述
2CR106 A8C N
硅外延超快恢复二极管,
面制造工艺及
属掺杂工艺有低正向
压降低反向漏电超快
反向恢复速度等优点。
N 型快恢复整流二极管
2CR106 A8C
R
产品特点
●超快反向恢复速度
●超低反向漏电
●低正向压降
●高抗浪涌能力
应用
开关
功率
通用整流
特征参数
符号
VRRM
IFAV
VFIF=10A
trrIF=0.5A
额定值
600
10
1.7
35
单位
V
A
V
ns
封装 TO-220AC
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1
相对湿度 <85
265
内部结构图
极限值 Per Diode
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
可重复峰值反向电压
均方根电压
直流阻断电压
平均整流电流
不重复峰值浪涌电流(8.3ms,正弦单波)
结温
贮存温度
热 阻 Per Diode
参数名称
结到壳的热阻
电参数Per Diode
符号
RθJC
无锡华润华晶微电子有限公司
符号
VRRM
VRMS
VR
IFAV
IFSM
Tj
Tstg
额定值
600
420
600
10
150
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
最小值
典型值
最大值
3.0
单位
/W
2015V01
1/4

1 Page



2CR106A8C pdf, ピン配列
特性曲线
100
IF-VF 关系曲线
2CR106 A8C
IR-VR 关系曲线
100
R
10
125
1
0.1
25
0.01
0
0.4 0.8
1.2 1.6
正向压降 VF (V)
2.0
IF-TC 关系特性
10
10
125
1
0.1
25
0.01
0
150 300 450 600
反向压降 VR (V)
750
正向浪涌非重复峰值电流
200
8.3ms Single Half Sine
Wave Jedec Method
5 100
0
0 100 200
外壳温度 ()
0
0 50
浪涌冲击次
100
雪崩耐量测试电路
Imax=1A L=40mH R0.1Ω
EAVL=1/2LI2VRAVL/VRAVL-VDD
Q1=IGBTVCESDUT VRAVL
Q1
L
CURRENT SENSE
DUT
R
VDD
VDD
雪崩电流与电压波形
IV
IL
VAVL
IL
t0 t1 t2
t
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
3/4


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