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データシート 2CZ10100A9 PDF ダウンロード ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 2CZ10100A9
部品説明 N-type Silicon Schottky Rectifier Diode
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 
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2CZ10100A9 Datasheet, 2CZ10100A9 PDF,ピン配置, 機能
N 型肖特基整流二极管
2CZ10100 A9
R
产品概述
2CZ10100 A9 是阳极
短路肖特基二
的正向压降特性和
特性。典型应用为
开关电整流输出、续
管、反向保护
产品特点
150℃工作结温
●高开关速度
●低正向压降
●低功率损耗
●保护环结构
符号
VRRM
IFAV
VFMAX
特征参数
额定值
100
10
0.85
封装
单位
V
A
V
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1
相对湿度 <85
265
内部结构图
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
最大可重复峰值反向电压
最大直流阻断电压
平均整流电流
不重复峰值浪涌电流(8.3mssinusoidal
可重复反向浪涌电流(2μs1kHz
最高工作结温
贮存温度
电压变化率
热阻
参数名称
结到壳的热阻
符号
RθJC
符号
VRRM
VR
IFAV
IFSM
IRRM
Tj
Tstg
dV/dt
额定值
100
100
10
150
0.5
150
-55150
10
单位
V
V
A
A
A
KV/μs
最小值
典型值
最大值
4.5
单位
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/4

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2CZ10100A9 pdf, ピン配列
特性曲线
100
10
2CZ10100 A9
最大 IF-VF 关系曲线
125
75
25
100
10
R
典型 IF-VF 关系曲线
125
75
25
11
0.1
0.2 0.4 0.6 0.8
1
正向压降 VF (V)
典型 IR-VR 关系特性
10
125
1
1.2
0.1
0.01
0.001
75
25
0.0001
0
20 40 60 80 100
反向电压 VR (V)
IF-TC 关系曲线
18
Pulse Test:tp=300μs,δ≤2%
16
14
12 Square Wave
10
8
6
4
2
0
115 120 125 130 135 140 145 150 155
壳温度 TC ()
无锡华润华晶微电子有限公司
0.1
0.2
0.4 0.6 0.8
1
正向压降 VF (V)
1.2
700
600
500
400
300
200
100
0
0
典型 C-VR 关系曲线
20 40 60 80 100 120
反向电压 VR (V)
14
12
10
8
6
4
2
0
0
PF- IF 关系曲线
Pulse Test:tp=300μs,δ≤2%
Square Wave
24
6 8 10 12 14 16 18
正向平均电流 IF AV(A)
2015V01
3/4


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