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データシート 3DD13009C8 PDF ダウンロード ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 3DD13009C8
部品説明 Silicon NPN Transistor
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 
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3DD13009C8 Datasheet, 3DD13009C8 PDF,ピン配置, 機能
产品概述
3DD13009 C8 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
提高了产品击穿电压
和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13009 C8
R
产品特点
开关
反向漏电流小
特性好
合适的开关
可靠性高
应用
电子节能灯
电子镇流器
一般功率开关电
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
PtotTC=25℃)
400
12
100
V
A
W
封装 TO-220AB
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
Ta=25
Tc=25
符号
RθJC
RθJA
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
E
额定值
700
400
9
12
24
6
12
2
100
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
最小值 典型值
2012
最大值
1.25
62.5
单位
/W
/W
1/4

1 Page



3DD13009C8 pdf, ピン配列
3DD13009 C8
R
特性曲线
100
安全工作区(单脉冲)
Ptot Ta 关系曲线
125
10
DC
1
100μs
0.1
0.01
1
Ta=25
10 100
1ms
10ms
1000
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
5
Ta=25
100
With Infinite Heatsink
75
50
25
Without Heatsink
0
0
25 50
75 100 125
环境温度 Ta ()
150
hFE-IC 温度特性 (典型)
100
Ta=125
VCE=5V
Ta=25
2.5 10 Ta= -55
IB=20mA
0
0 2 4 6 8 10
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125
0.1
Ta=25
0.01
0.1
IC/IB=5
1 10 100
集电极电流 IC (A)
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.1
1
10 100
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1.5
1
Ta=25
Ta=125
0.5
0.1
IC/IB=5
1 10 100
集电极电流 IC (A)
2012
3 /4


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