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データシート 3DD4513A1D PDF ダウンロード ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 3DD4513A1D
部品説明 Silicon NPN Transistor
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 
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3DD4513A1D Datasheet, 3DD4513A1D PDF,ピン配置, 機能
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4513 A1D
R
产品概述
3DD4513 A1D NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
成了有源抗饱和网络
高了产品击穿电压开关
和可靠性。
产品特点
开关
反向漏电流小
特性好
合适的开关
可靠性高
应用
充电器
电源转换
一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
Ptot Ta=25℃)
450
1.3
0.8
单位
V
A
W
封装 TO-92
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
E
额定值
800
450
9
1.3
2.6
0.65
1.3
0.8
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热阻
参数名称
结到环境的热阻
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
156
单位
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
1/5

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3DD4513A1D pdf, ピン配列
3DD4513 A1D
R
特性曲线
10
安全工作区(单脉冲)
Ptot Ta 关系曲线
1
1 100μs
0.1 1ms
0.01
0.001
1
0.5
D C 10ms
Ta=25
10 100 1000
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
Ta=25
0.8
0.6 Without Heatsink
0.4
0.2
0
0
25 50
75 100 125 150
环境温度 Ta ()
hFE-IC 温度特性 (典型)
100
Ta=125
VCE=5V
Ta=25
0.25 10 Ta=-55
IB=2mA
0
0 2 4 6 8 10
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125
Ta=25
0.1
0.01
0.1
IC/IB=5
1 10
集电极电流 IC (A)
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.01
0.1 1
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1.4
1.2
1
Ta=25
0.8
Ta=125
0.6
0.4
0.01
IC/IB=5
0.1 1
集电极电流 IC (A)
10
2012
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部品番号部品説明メーカ
3DD4513A1D

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